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公开(公告)号:CN105659497A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201480059331.0
申请日:2014-10-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H03K17/082 , H02M1/32
CPC classification number: H03K17/56 , H02H9/044 , H02M1/32 , H03K17/0828
Abstract: 本发明创造了一种过压保护电路5以及一种用于保护功率半导体(31,32)不受过压损害的方法。为此,在功率半导体开关上附着的电压首先借助电阻分压器被转换到与附在功率半导体开关上的电压相一致的低电压信号。于是,被减小的电压信号通过过压检测器(例如齐纳二极管或者抑制二极管)被分析,并且在超过该二极管的响应电压时,要被保护的功率半导体开关被操控。通过借助于分压器来降低电压水平,具有较低的电压水平的齐纳二极管或者抑制二极管能够被用来监控过压,所述齐纳二极管或者抑制二极管相对于相对应的具有较高的电压水平的二极管具有被改善的运行特性。
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公开(公告)号:CN105121212B
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201480006777.7
申请日:2014-01-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能量传输装置(10),其具有:电磁转换器单元(12),所述电磁转换器单元能够在输入侧与交流电压源(14)耦合;第一直流电压电路(36),所述第一直流电压电路在输入侧与所述电磁转换器单元(12)耦合并且能够在输出侧与第一直流电压宿(16)耦合并且被构造用于在输出侧提供第一直流电压;以及第二直流电压电路(40),所述第二直流电压电路在输入侧与所述电磁转换器单元(12)耦合并且能够在输出侧与第二直流电压宿(18)耦合并且被构造用于在输出侧提供第二直流电压,其中所述直流电压电路(36,40)之一为了调节其输出侧的直流电压而具有直流电压转换器(50)。
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公开(公告)号:CN107960141A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201680048345.1
申请日:2016-06-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H02M1/34 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种用于交替地将单相的或者多相的、尤其是三相的负载(M)的相与直流电源(UB)的正极和负极连接起来的反相器线路,所述反相器线路具有:被集成到功率模块(1)中的、彼此并联的、由电子开关(T1、T2;T3、T4;T5、T6)构成的配对,其中两个属于相应的配对的开关串联,并且其中在两个属于所述配对的电子开关的连接处设置了用于所述负载(M)的相应的相(M1、M2、M3)的接头;与所述直流电源(UB)并联的中间电路电容器(CZK);以及所述中间电路电容器(CZK)与所述功率模块(1)之间的、用于连接所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的电连接部(2、3),其中所述电连接部(2、3)具有分布的寄生的电感(LPAR)并且由此在开关时引起电振荡;所述反相器线路包括用于再生地衰减所述电振荡的线路布置,所述线路布置具有:缓冲电容器(CBuff),所述缓冲电容器以其第一接头与所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的一个接头相连接;第一二极管(D高),通过所述第一二极管所述缓冲电容器(CBuff)与所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的另一个接头相连接;另外的二极管(D低1、D低2、D低)3,通过所述另外的二极管所述缓冲电容器(CBuff)与用于所述负载(M)的相应的相(M1、M2、M3)的接头相连接;以及降压斩波器(Ts),通过所述降压斩波器所述缓冲电容器(CBuff)与所述中间电路电容器(CZK)相连接。
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公开(公告)号:CN107960141B
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201680048345.1
申请日:2016-06-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H02M1/34 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种用于交替地将单相的或者多相的、尤其是三相的负载(M)的相与直流电源(UB)的正极和负极连接起来的反相器线路,所述反相器线路具有:被集成到功率模块(1)中的、彼此并联的、由电子开关(T1、T2;T3、T4;T5、T6)构成的配对,其中两个属于相应的配对的开关串联,并且其中在两个属于所述配对的电子开关的连接处设置了用于所述负载(M)的相应的相(M1、M2、M3)的接头;与所述直流电源(UB)并联的中间电路电容器(CZK);以及所述中间电路电容器(CZK)与所述功率模块(1)之间的、用于连接所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的电连接部(2、3),其中所述电连接部(2、3)具有分布的寄生的电感(LPAR)并且由此在开关时引起电振荡;所述反相器线路包括用于再生地衰减所述电振荡的线路布置,所述线路布置具有:缓冲电容器(CBuff),所述缓冲电容器以其第一接头与所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的一个接头相连接;第一二极管(D高),通过所述第一二极管所述缓冲电容器(CBuff)与所述开关配对(T1、T2;T3、T4;T5、T6)的另一个接头相连接;另外的二极管(D低1、D低2、D低3),通过所述另外的二极管所述缓冲电容器(CBuff)与用于所述负载(M)的相应的相(M1、M2、M3)的接头相连接;以及降压斩波器(Ts),通过所述降压斩波器所述缓冲电容器(CBuff)与所述中间电路电容器(CZK)相连接。
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公开(公告)号:CN105659497B
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201480059331.0
申请日:2014-10-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H03K17/082 , H02M1/32
Abstract: 本发明创造了一种过压保护电路5以及一种用于保护功率半导体(31,32)不受过压损害的方法。为此,在功率半导体开关上附着的电压首先借助电阻分压器被转换到与附在功率半导体开关上的电压相一致的低电压信号。于是,被减小的电压信号通过过压检测器(例如齐纳二极管或者抑制二极管)被分析,并且在超过该二极管的响应电压时,要被保护的功率半导体开关被操控。通过借助于分压器来降低电压水平,具有较低的电压水平的齐纳二极管或者抑制二极管能够被用来监控过压,所述齐纳二极管或者抑制二极管相对于相对应的具有较高的电压水平的二极管具有被改善的运行特性。
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公开(公告)号:CN105121212A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201480006777.7
申请日:2014-01-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能量传输装置(10),其具有:电磁转换器单元(12),所述电磁转换器单元能够在输入侧与交流电压源(14)耦合;第一直流电压电路(36),所述第一直流电压电路在输入侧与所述电磁转换器单元(12)耦合并且能够在输出侧与第一直流电压宿(16)耦合并且被构造用于在输出侧提供第一直流电压;以及第二直流电压电路(40),所述第二直流电压电路在输入侧与所述电磁转换器单元(12)耦合并且能够在输出侧与第二直流电压宿(18)耦合并且被构造用于在输出侧提供第二直流电压,其中所述直流电压电路(36,40)之一为了调节其输出侧的直流电压而具有直流电压转换器(50)。
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