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公开(公告)号：CN116364576A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210917317.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理设备，包括：在处理空间中支撑和旋转所述基板的支撑单元；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的液体供应单元；以及将光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板的照射模块，其中所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元，以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及冷却单元，其位于所述容纳空间中并冷却所述激光照射单元。
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公开(公告)号：CN115939007A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211073625.1
申请日：2022-09-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明构思提供了一种掩模处理装置。该掩模处理装置包括支承单元，该支承单元被配置成支承并旋转掩模，该掩模在其多个单元内具有第一图案并且在该多个单元的区域之外具有第二图案；以及加热单元，该加热单元具有激光照射器，该激光照射器用于将激光照射到支承在该支承单元上的该掩模的特定区域；以及控制器，该控制器被配置成控制该支承单元和该加热单元，并且其中该支承单元包括：支承部，该支承部用于支承该掩模；以及移动台部，该移动台部被配置成移动该支承部的位置，并且其中该控制器控制该移动台部，从而改变支承在该支承部上的该掩模的位置，使得该第二图案被定位在该特定区域处。
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公开(公告)号：CN115083955A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210239103.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的方法及设备。本发明构思提供一种用于处理基板的方法。用于处理基板的方法包含：加压步骤，用于在将基板放入内部空间之后，通过向内部空间供应处理流体来增大腔室的内部空间的压力；流动步骤，用于通过将处理流体供应给内部空间及从内部空间排放处理流体的组合来产生处理流体的流动；及减压步骤，通过从内部空间排放处理流体来降低内部空间的压力，且加压步骤包含：底面供应工艺，通过将处理流体供应给被放入内部空间中的基板的背面来增大内部空间的压力；及顶面供应工艺，通过向放入到内部空间中的基板的顶面供应处理流体来增大内部空间的压力。
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公开(公告)号：CN119517788A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411107471.2
申请日：2024-08-13
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了一种控制设备以及一种包括该控制设备的衬底处理装置。该衬底处理装置包括：支撑单元，包括转动头，并且被配置为支撑并旋转衬底；喷洒单元，被配置为将处理液喷洒到衬底上；校正单元，在摆臂中，该校正单元被配置为当处理液被喷洒到衬底上时移动到衬底上的目标点并且照射光束；以及控制单元，被配置为计算目标点，其中，控制单元被配置为转换与第一坐标系相关联的图像坐标，并且然后通过将与第一坐标系相关联的图像坐标转换为与第二坐标系相关联的图像坐标来计算目标点，并且第二坐标系基于转动头和摆臂的旋转角度。
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公开(公告)号：CN116413997A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211023392.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本申请提供一种能够提高光掩模的精度的光掩模修正方法。该光掩模修正方法包括：测量激光的强度轮廓(intensity profile)；利用库来获取与所测量的强度轮廓对应的蚀刻量数据；基于蚀刻量数据确定激光的工艺参数；以及根据所确定的工艺参数，用激光来修正光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115966487A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211229568.1
申请日：2022-10-08
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 提供了一种浓度测量设备，所述浓度测量设备在高压环境、诸如其中提供超临界流体的环境下测量流体的浓度。所述浓度测量设备包括：浓度计，所述浓度计用于测量测量管线中的流体中所含的第一流体的浓度；采样管线，所述采样管线用于将处理空间的工艺流体传送到所述测量管线，在所述处理空间中在高压环境下处理基板；控制阀，所述控制阀用于打开和封闭所述采样管线；流体压力调节器，所述流体压力调节器在所述采样管线中安装在所述控制阀的下游并且被配置为将正在通过的流体调整到设定压力；以及减压罐，所述减压罐安装在所述采样管线与所述测量管线之间。
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公开(公告)号：CN115808842A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211118909.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种掩模处理设备。所述掩模处理设备包括：支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑和旋转掩模，所述掩模具有在其多个单元内的第一图案和在所述多个单元的区域外部的第二图案；加热单元，所述加热单元包括激光照射模块和移动模块，所述激光照射模块具有用于将激光照射到所述第二图案的激光照射器，所述移动模块被配置为改变所述激光照射模块的位置；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述支撑单元和所述加热单元，并且其中当处理位置基于所述掩模的中心被分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，所述激光照射器在从待机位置线性地移动到所述处理位置的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在垂直于所述第四象限的方向上定位在第三象限处并且在垂直于所述第一象限的方向上定位在所述第二象限处，并且其中所述控制器控制所述支撑单元的旋转，使得所述第二图案定位在所述第四象限处。
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公开(公告)号：CN115763339A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211073739.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。掩模处理装置包括配置为支承和旋转掩模的支承单元，掩模在其多个单元格内具有第一图案以及在多个单元格的外部区域具有第二图案；包括将激光照射到第二图案的激光照射器的激光照射模块和配置为改变激光照射模块位置的移动模块的加热单元；和配置为控制支承单元和加热单元的控制器，其中当基于掩模的中心将处理位置划分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，激光照射器在从待机位置向处理位置直线移动的方向上位于第四象限和第一象限、在与第四象限垂直的方向上位于第三象限、并且在与第一象限垂直的方向上位于第二象限，其中，控制器控制支承单元的旋转，使得第二图案位于第四象限。
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公开(公告)号：CN117995654A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311473439.1
申请日：2023-11-07
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67 , G03F1/80
Abstract: 本发明构思提供一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将液体供应到基板；以及在供应所述液体之后对所述基板进行加热，并且其中供应所述液体包括：将第一液体供应到所述基板；以及将不同于所述第一液体的第二液体供应到被供以所述第一液体的基板，并且其中将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行供应所述第二液体之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制。
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公开(公告)号：CN117877964A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310383274.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/306 , B08B3/12 , B08B13/00
Abstract: 本发明构思提供了一种用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。该基板处理方法包括：通过清洁基板来预处理基板；通过供应蚀刻剂并加热供应有蚀刻剂的基板来蚀刻基板；以及在蚀刻基板之后后处理所述基板，并且其中在不同腔室中执行预处理基板、蚀刻基板和后处理基板中的每一者，将在其上完成了预处理基板基板以干燥状态传送至在其中执行蚀刻基板的腔室，并且将在其上完成了蚀刻基板的基板以利用液体的润湿状态传送至在其中执行后处理基板的腔室。
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