公开(公告)号：CN1770319A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107643.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  相良敦 ,  中岛智惠子 ,  森宽伸 ,  长尾一

IPC: G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。

公开(公告)号：CN1701443A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN03825374.7

申请日：2003-09-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 吉原宏 ,  森山胜利 ,  森宽伸 ,  冈崎信道

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222

Abstract: 本发明提供一种互补型磁存储装置，其可以将存储数据精确地写入到一对铁磁隧道结元件中，从而提高了可靠性。互补型磁存储装置中，相反的存储数据存储在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中。第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上。线圈状第一写入布线形成在第一铁磁隧道结元件周围，线圈状第二写入布线形成在第二铁磁隧道结元件周围，使得第一写入布线的缠绕方向和第二写入布线的缠绕方向相反。

公开(公告)号：CN1714402B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN03807918.6

申请日：2003-02-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  冈崎信道

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 通过提高使用铁磁隧道结器件的磁存储装置的电迁移的电阻来防止磁存储装置出现故障。使用铁磁隧道结器件的磁存储装置通过在隧道势垒层的上面和背面分别层叠固定磁化层和自由磁化层来形成由铁磁隧道结器件，并且使字线在铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向上延伸以及使位线在与铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向垂直方向上延伸，以便允许通过反转流过位线的电流的方向来把两种不同的存储状态写入铁磁隧道结器件中，其中，在写入铁磁隧道结器件时，把流过字线的电流的方向反转到与固定磁化层的磁化方向相同的方向或相反的方向。

公开(公告)号：CN1881466B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610106195.3

申请日：2006-06-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  荒谷胜久

IPC: G11C11/21

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。

公开(公告)号：CN1983443A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610063914.8

申请日：2006-09-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中岛智惠子 ,  八野英生 ,  长尾一 ,  冈崎信道

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。

公开(公告)号：CN1901089A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610121391.8

申请日：2006-07-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  荒谷胜久

IPC: G11C11/21

CPC classification number: H01L27/2472 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。

公开(公告)号：CN1881466A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106195.3

申请日：2006-06-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  荒谷胜久

IPC: G11C11/21

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。