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公开(公告)号：CN1983443A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610063914.8
申请日：2006-09-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。
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公开(公告)号：CN1901089A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610121391.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: H01L27/2472 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。
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公开(公告)号：CN1892902A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610103086.6
申请日：2006-07-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种存储器件，它包括存储元件、电路元件和写入控制部件。所述存储单元具有下述特性：所述特性表现出由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性。所述电路元件与所述存储元件串联。所述写入控制部件被配置成执行第一写入操作，检测在第n写入操作后由存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且执行第(n+1)写入操作。
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公开(公告)号：CN1881466A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106195.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983443B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610063914.8
申请日：2006-09-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/79
Abstract: 存储装置包括存储器单元，存储器单元具有存储元件和与所述存储元件串联连接的电路元件，所述存储元件具有这样的特性，通过被供给等于或高于第一阈值电压的电压而从高电阻值状态改变到低电阻值状态，并且通过被供给等于或高于第二阈值电压的电压而从低电阻值状态改变到高电阻值状态，所述第二阈值电压与所述第一阈值电压极性不同，其中，令R为写之后的所述存储元件的电阻值，V为所述第二阈值电压，并且I为在擦除时可以通过所述存储元件的电流，R≥V/I。
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公开(公告)号：CN100541654C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610121391.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/21
CPC classification number: H01L27/2472 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146
Abstract: 为了解决高速驱动的困难性，本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。本发明中，通过将单个极板拆分以形成分立极板并且彼此独立地向相应分立极板施加电压而能够提高驱动速度，且很容易地执行构图。
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公开(公告)号：CN100481254C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510107643.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C13/0069 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
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公开(公告)号：CN1989619A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024194.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/1675
Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。
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公开(公告)号：CN1770319A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107643.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/02 , G11C13/0069 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。
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