公开(公告)号：CN101427331B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200680054322.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： M·杜尔 ,  S·罗塞利 ,  G·内尔斯 ,  安田章夫

IPC: H01L31/18 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2036 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明涉及具有通式AxB1-xCy的半导体化合物、使用所述半导体化合物来优化半导体材料的导带和价带的位置的方法以及包含所述半导体化合物的光敏器件。

公开(公告)号：CN1900083B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200610006614.6

申请日：2006-01-25

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： J·维泽尔斯 ,  W·E·福德 ,  H·-G·诺托菲尔 ,  G·克伦 ,  F·冯弗罗赫姆 ,  安田章夫

IPC: C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C07F15/00 ,  C07F11/00 ,  C07F1/08 ,  C07F7/28 ,  C07F15/04 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/005 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0595

Abstract: 分子整流器，本发明涉及具有整流性质的分子。本发明尤其涉及一种分子整流装置，其中包括通式结构为METAL1-CON1-BRIDGE-CON2-METAL2的分子，其中CON1和CON2为连接基团或连接部分，并且各自独立地表示，以在一个或两个METAL1，2/CON1，2界面上形成具有接近金属费米能量的能量的吸附态的方式键接在METAL1，2上的分子基团，METAL选自金属和/或金属合金，BRIDGE为分子的核心，由π-共轭和非共轭部分组成。此外，本发明还涉及所述分子整流器装置的用途或者其中分子置于至少两个电极之间的电子设备的生产。

公开(公告)号：CN1958301B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610143605.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： J·维泽尔斯 ,  G·克伦 ,  安田章夫 ,  D·施瓦布 ,  D·迈尔 ,  A·奥芬豪泽尔

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00 ,  B41M3/00

CPC classification number: B05C1/027 ,  B01J2219/00382 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00725 ,  B01L3/0258 ,  B41M3/006 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/793 ,  Y10S977/887 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明涉及利用微接触印刷工艺在基材上图案化分子的方法、通过所述方法制造的基材以及所述基材的应用。还涉及用于执行根据本发明的方法的设备。

公开(公告)号：CN101657266A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880003834.0

申请日：2008-01-31

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： W·E·福特 ,  J·韦塞尔斯 ,  安田章夫

IPC: B05D1/00 ,  B05D7/04

CPC classification number: B05D1/002 ,  B05D7/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0045

Abstract: 本发明涉及在基材上生产碳纳米管的膜的方法，涉及由该方法生产的膜，和涉及该膜的用途。

公开(公告)号：CN101611462A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200780051257.8

申请日：2007-12-12

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： M·杜尔 ,  G·内尔斯 ,  安田章夫 ,  Y·苏素基 ,  K·诺达

IPC: H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2095 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/003 ,  Y02E10/542

Abstract: 在基底上制备多孔半导体膜的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一基底上制备粘合层，所述粘合层能够在附着于所述粘合层的多孔半导体层与所述第一基底之间提供电和机械接触，b)在能够经受住温度≥300℃的第二基底上施加间隔层，并且在所述间隔层上施加多孔半导体层，c)在所述多孔半导体层上施加辅助层，所述辅助层为所述多孔半导体层提供支撑，d)除去所述间隔层，e)将由所述辅助层支撑的所述多孔半导体层转移到所述粘合层上，f)将所述多孔半导体层压到所述粘合层上，g)从所述多孔半导体层除去所述辅助层，从而获得所述第一基底，该第一基底具有通过所述粘合层附着于其上的作为多孔半导体膜的所述多孔半导体层。

公开(公告)号：CN101410754A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011476.3

申请日：2007-03-26

Applicant: 索尼德国有限责任公司 ,  于利奇研究中心有限公司

Inventor： J·韦塞尔斯 ,  安田章夫 ,  Z·卡里皮多 ,  A·施赖伯 ,  M·里德尔 ,  D·施瓦布 ,  D·迈耶 ,  A·奥芬豪瑟

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本申请涉及在衬底上施加金属、金属氧化物和/或半导体材料的图案的方法，和通过这种方法形成的图案以及这类图案的用途。

公开(公告)号：CN101120280A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005135.0

申请日：2006-01-31

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： 增谷启 ,  B·舒勒 ,  A·罗伯茨 ,  安田章夫

IPC: G02F1/1334

CPC classification number: C09K19/544 ,  G02F1/133377 ,  G02F1/1334 ,  G02F1/13725 ,  G02F2201/52 ,  Y10T428/1086

Abstract: 本发明涉及一种形成聚合物分散液晶元件阵列的方法，并且涉及通过这种方法形成的阵列以及这些阵列的用途。

公开(公告)号：CN1329480C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200310102727.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 索尼德国有限责任公司 ,  索尼公司

Inventor： A·罗伯茨 ,  增谷启 ,  安田章夫 ,  B·许勒 ,  桥本俊一

IPC: C09K19/04 ,  G02F1/13

CPC classification number: C09K19/58 ,  Y10T428/10

Abstract: 本发明涉及一种通过提供包含含有至少一种可溶性偶极掺杂剂的至少一种负型内消旋体的液晶材料来改进负型液晶的响应时间和本体开态排列的方法。

公开(公告)号：CN1868075A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029609.6

申请日：2004-07-20

Applicant: 索尼德国有限责任公司

Inventor： M·迪尔 ,  G·内勒斯 ,  安田章夫

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/424 ,  H01L2251/306 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种光电装置，该光电装置的用途，该光电装置与电路的组件以及利用该光电装置由光发电的方法。

公开(公告)号：CN101690871B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910132506.7

申请日：2009-03-31

Applicant: 索尼德国有限责任公司 ,  牛津纳米孔技术有限公司

Inventor： O·哈纳克 ,  J·韦塞尔斯 ,  安田章夫 ,  J·克拉克 ,  T·赖德

IPC: B01D69/00 ,  B01D67/00 ,  B01L3/00 ,  G01N33/543

CPC classification number: B01D69/10 ,  B01D69/105 ,  B01D69/144 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/249961

Abstract: 本发明提供了制造具有锥形孔的膜的方法，其能够在低孔直径时形成高纵横比。本发明还提供了薄而稳定的而且能够容易地以降低的破裂风险操作的膜。进而，本发明提供了与硅系膜相比更低廉的制造方法。