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公开(公告)号：CN111510102A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010076561.5
申请日：2020-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供振动器件、振动模块、电子设备以及移动体，能够抑制布线彼此的意料之外的短路。振动器件具有：基座；振动元件，其安装在所述基座上；盖体，所述振动元件收纳在该盖体与所述基座之间；以及导电性的接合部件，其位于所述基座与所述盖体之间，将所述基座与所述盖体接合，所述基座具有：振动元件载置面，其安装有所述振动元件；第1布线和第2布线，它们配置在所述振动元件载置面上，与所述振动元件电连接；以及接合面，其经由所述接合部件与所述盖体接合，在振动元件载置面与所述接合面之间具有阶差。
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公开(公告)号：CN1221012C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN02102774.9
申请日：2002-01-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/027 , H05B33/10
CPC classification number: H01L21/0337 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L21/0332 , H01L27/3244 , H01L51/0011
Abstract: 本发明的课题是，提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。根据本发明的一种掩模，用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，其特征在于：该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同。
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公开(公告)号：CN1669795A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410092939.1
申请日：2004-11-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2002/14419
Abstract: 本发明的目的是提供一种能制造高密度阵列的小型液滴喷出装置。本发明的液滴喷出装置(100)包括：具备收容液体的多个收容室(111)的第一块基板；供给收容室(111)所贮存的液体的供给口(121)；具备多个喷出单元的第二块基板，而该喷出单元含有向由供给口(121)供给的液体付与压力的加压室和将在该加压室加压的液体喷出到外部的喷出口；和夹持在上述第一块基板和第二块基板之间的，具备将上述多个收容室(111)和与其对应多个供给口(121)连接的流路的第三块基板；并通过使上述设在第二块基板上的多个供给口的排列，处于成为交错状配置的位置关系。由此解决了上述课题。
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公开(公告)号：CN100392502C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610068309.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 黑泽龙一
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133711 , G02F1/133526 , G02F1/133719 , G02F2001/133715 , Y10T428/1005 , Y10T428/1014
Abstract: 一种用于控制液晶分子取向的定向膜是由有机硅材料形成的，所述的有机硅材料在其分子中包括用于提高与液晶分子亲合力的亲合力赋予基和用于控制液晶分子取向的取向特性赋予基。所述亲合力赋予基是选自包含乙烯基、烷撑基和氰基烷基的基团中的至少一种，并且所述取向特性赋予基是选自包含苯基、取代的苯基、苯基-烷基、取代的苯基-烷基、含有3至12个碳原子的支链烷基的基团中的至少一种。优选地，所述的有机硅材料包括具有笼形结构或部分裂开的笼形结构的有机聚倍半硅氧烷。还提供一种形成定向膜的方法，并且还提供具有所述定向膜的液晶板和配备有所述液晶板的电子设备。
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公开(公告)号：CN1636912A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410094633.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 黑泽龙一
CPC classification number: B41J2/16 , B32B15/04 , B32B17/06 , C03C15/00 , C03C23/0025 , H01L21/31111 , Y10T29/49083 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
Abstract: 提供了一种能够避免复杂过程和较高成本的技术，同时在形成包括玻璃衬底的装置时获得功能单元的保护。一种用从玻璃衬底和半导体衬底所形成的粘合主体构造的结构主体的制造方法，包括：第一步骤，在玻璃衬底的一个表面上形成第一功能单元，用作结构主体的结构单元；第二步骤，将半导体衬底粘合到玻璃衬底的一个表面上以覆盖第一功能单元；第三步骤，通过从玻璃衬底的另外的表面侧辐射激光束并在玻璃衬底的厚度方向上扫描激光束的焦点而形成在玻璃衬底的厚度方向上延展的受影响区；以及第四步骤，通过蚀刻玻璃衬底和沿着受影响区域移除所述部分而在玻璃衬底上形成孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1604286A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410085730.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6838 , C23F1/08
Abstract: 表面处理装置1构造为当对基片10的背面101执行表面处理时保持基片10。所述表面处理装置1包括：至少一个封闭空间，每个封闭空间都由凹入部分32和基片10的正面102限定；以及O形环2(接触部分)，适于与基片10的正面102密封，以与O形环2和基片10的正面102协作而产生负压。所述表面处理装置1如此构造，通过使减压室中的封闭空间减压，然后将基片从减压室的内部取出到大气压力下的环境中，使得基片利用负压和大气压力之差吸到表面处理装置1上。
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公开(公告)号：CN1501116A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03147094.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 黑泽龙一
CPC classification number: G02B26/0841 , G02B26/085 , Y10S359/90
Abstract: 为了提供一种能够利用较小的驱动力较大地驱动反射镜的反射镜装置、光开关、电子设备和反射镜装置驱动方法，在硅衬底1上，设置：与所述反射镜10整体地形成、设置在与反射镜10不同的位置的至少一个第1反射镜侧作用部，和设置在反射镜10端部的至少一个第2反射镜侧作用部；在玻璃衬底2上，设置：在与所述第1反射镜侧作用部之间作用库仑力的相对侧作用部23、24，和在与第2反射镜侧作用部之间作用库仑力的相对侧作用部21，形成玻璃衬底2使得第1反射镜侧作用部和相对侧作用部23、24的间隔，与第2反射镜侧作用部和相对侧作用部21的间隔相比较要窄。
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公开(公告)号：CN1395128A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02123161.3
申请日：2002-06-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 提供一种耐久性好的光调制装置及其制造方法。利用由驱动电极130和微镜220之间的电位差所产生的静电力来倾斜驱动微镜220的光调制装置的制造方法，包含整体形成位于倾斜驱动微镜220时的支点处的支撑部280和成为倾斜驱动微镜220时的轴的轴部230。
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公开(公告)号：CN116647203A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310154710.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动器件以及振动器件的制造方法。能够抑制振动特性的劣化。振动器件具有：元件基板，其具有框部和振动元件，框部具有处于正反关系的第1面和第2面，振动元件与框部连接，配置于框部的内侧；第1基板，其配置在第1面侧，具有与第1面相对的第3面；第1接合层，其配置在元件基板与第1基板之间，接合第1面与第3面；第2基板，其配置在第2面侧，具有与第2面相对的第4面；第2接合层，其配置在元件基板与第2基板之间，接合第2面与第4面；收纳部，其由框部、第1基板和第2基板包围，收纳振动元件；吸气层，其配置在第4面，露出于收纳部，具有气体吸附性。
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公开(公告)号：CN116633306A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310141365.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 振动器件以及振动器件的制造方法，抑制大型化并且具有优异的气体吸附性。振动器件具有：硅的基座，其具有处于正反关系的第一面和第二面；振动元件，其被配置于所述第一面；硅的盖，其被配置于所述第一面侧，具有与所述第一面面对的第三面和朝所述第三面开口的有底的凹部，所述第三面与所述第一面接合；以及吸气层，其被配置于所述凹部的底面，具有气体吸附性，所述凹部的底面的表面粗糙度Ra大于所述第三面的表面粗糙度Ra。
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