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公开(公告)号:CN1262977C
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200310103360.6
申请日:2003-10-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136286
Abstract: 一种电光装置,包括:在基板上沿第一方向延伸的数据线;沿与上述数据线相交叉的第二方向延伸的扫描线;像素电极和薄膜晶体管,配置成与上述数据线和上述扫描线的交叉区域相对应;与上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的蓄积电容器。而且,上述薄膜晶体管具有包含沿纵向延伸的沟道区域和从该沟道区域进一步沿纵向延伸的沟道相邻区域的半导体层,上述扫描线在上述沟道区域的侧边具有遮光部。
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公开(公告)号:CN1162747C
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN01133122.4
申请日:2001-08-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 河田英德
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133512
Abstract: 本发明的课题是提供作成遮光膜111的、具有优良的遮光性能的遮光膜,其中,上述遮光膜111具有阻挡层B1和金属层M1,上述阻挡层B1由高熔点金属的氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成,上述金属层M1由如果变成氧化物则可看到遮光性的恶化的金属单质或金属化合物中的某一方构成。
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公开(公告)号:CN1455289A
公开(公告)日:2003-11-12
申请号:CN03122287.0
申请日:2003-04-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 河田英德
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种电光装置,该电光装置在TFT阵列基板上具备:像素电极;连接到该像素电极上的薄膜晶体管;连接到该薄膜晶体管上的扫描线和数据线;以及至少在上述数据线的表面上形成的氮化膜。
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公开(公告)号:CN1343905A
公开(公告)日:2002-04-10
申请号:CN01133122.4
申请日:2001-08-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 河田英德
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133512
Abstract: 本发明的课题是提供作成遮光膜111的、具有优良的遮光性能的遮光膜,其中,上述遮光膜111具有阻挡层B1和金属层M1,上述阻挡层B1由高熔点金属的氮化物、硅化物、钨化物、钨、硅中的1种构成,上述金属层M1由如果变成氧化物则可看到遮光性的恶化的金属单质或金属化合物中的某一方构成。
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公开(公告)号:CN2625930Y
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN03256418.X
申请日:2003-04-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 河田英德
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本实用新型提供一种电光装置,该电光装置在TFT阵列基板上具备:像素电极;连接到该像素电极上的薄膜晶体管;连接到该薄膜晶体管上的扫描线和数据线;以及至少在上述数据线的表面上形成的氮化膜。
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公开(公告)号:CN2702338Y
公开(公告)日:2005-05-25
申请号:CN03267148.2
申请日:2003-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 河田英德
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F2203/02
Abstract: 一种电光学装置,在TFT阵列基板上具备像素电极、与其连接的TFT、以及与其连接的扫描线和数据线。而且,具备具有作为存储电容的像素电位侧电容电极功能的中继层、以及包含通过电介质膜与其相对配置的固定电位侧电容电极的电容线。如覆盖电容线的切口部那样,连接中继层和像素电极的多层中继层,从与数据线相同的多层膜设置。该多层膜上侧的膜由与下侧的膜相比难以被像素电极的ITO电蚀的材料构成。
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