公开(公告)号：CN1630051A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101109.0

申请日：2004-12-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山口浩司

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/15311

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中，上述半导体装置，包括从形成电子电路的基板的有源面侧向该基板的背面侧贯通的连接端子、在上述有源面上与上述连接端子电连接的导电图形，上述制造方法，包括在上述有源面侧形成用于埋入上述连接端子的孔部的工序、在上述孔部及与该孔部相连的有源面上的位置上汇总形成成为上述连接端子及上述导电图形的导电膜的工序、通过研磨上述导电膜进行平整化的工序、减小上述基板的厚度使上述连接端子的一部分在上述基板背面侧露出的工序。

公开(公告)号：CN1534770A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410008577.3

申请日：2004-03-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原一巳 ,  横山好彦 ,  宫泽郁也 ,  山口浩司

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。