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公开(公告)号：CN101104920B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710128733.3
申请日：2007-07-12
CPC classification number: C23C14/46 , C23C14/225 , H01J37/34 , H01J37/3447
Abstract: 提供一种成膜装置及成膜方法，在衬底和靶之间的位置配置膜厚控制用遮蔽部。遮蔽部具有透过部，该透过部中，靶侧的宽度窄，与靶相反侧的宽度宽。由于越远离靶，溅射粒子的密度越小，所以衬底的远离靶的部分长时间暴露于密度低的溅射粒子中，衬底的接近靶的部分短时间暴露于密度高的溅射粒子中，其结果是，在衬底的成膜面上形成膜厚分布均匀的膜。
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公开(公告)号：CN101104920A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128733.3
申请日：2007-07-12
CPC classification number: C23C14/46 , C23C14/225 , H01J37/34 , H01J37/3447
Abstract: 提供一种成膜装置及成膜方法，在衬底和靶之间的位置配置膜厚控制用遮蔽部。遮蔽部具有透过部，该透过部中，靶侧的宽度窄，与靶相反侧的宽度宽。由于越远离靶，溅射粒子的密度越小，所以衬底的远离靶的部分长时间暴露于密度低的溅射粒子中，衬底的接近靶的部分短时间暴露于密度高的溅射粒子中，其结果是，在衬底的成膜面上形成膜厚分布均匀的膜。
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公开(公告)号：CN1591135A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074949.2
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/133 , G06F3/147 , H04M1/02 , H04N5/225
CPC classification number: C23C8/28 , C23C14/022 , C23C14/0605 , Y10T428/1086
Abstract: 本发明可以提供耐光性优良，而且能够产生偏转预倾角的取向膜，提供具备这样的取向膜的电子器件用基板、液晶面板和电子仪器，另外，提供这样的取向膜的形成方法。本发明的取向膜的形成方法，是在基体材料上形成取向膜，其特征在于，蒸发碳，同时在基体材料的形成取向膜的面上，只从相对于与该面垂直的方向倾斜所定的角度θa的方向照射含有氮离子的离子束。上述所定的角度θa是45～89°。含有氮离子的离子束的加速电压是100～500V。含有氮离子的离子束的电流是10～500mA。
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公开(公告)号：CN1591134A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074939.9
申请日：2004-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13 , G03B21/00 , G02B27/18
CPC classification number: C23C14/10 , B32B17/06 , C23C14/226 , C23C14/35 , G02F1/133734 , Y10T428/1005 , Y10T428/1045
Abstract: 本发明提供一种耐光性优异、并且能够使之发生预倾斜角的无机取向膜，配备有这种无机取向膜的电子器件用基板、液晶面板及电子设备，以及形成这种无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法，利用磁控溅射法在基材上形成无机取向膜，其中，令前述基材附近的气氛的压力，在5.0×10－2Pa以下，使等离子体碰撞与前述基材对向设置的靶，引出溅射粒子，将前述溅射粒子从相对于前述基材的形成前述无机取向膜的面的垂直方向倾斜规定的角度θs的方向，照射到前述基材上，在前述基材上，形成主要由无机材料构成的无机取向膜。规定的角度度θs，在60°以上。基材与靶的距离，在150mm以上。
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