公开(公告)号：CN101104920B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710128733.3

申请日：2007-07-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  爱发科股份有限公司

Inventor： 太田英伸 ,  寺泽寿浩 ,  清水三郎 ,  佐佐木德康 ,  半泽幸一 ,  松元孝文

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/46 ,  C23C14/225 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 提供一种成膜装置及成膜方法，在衬底和靶之间的位置配置膜厚控制用遮蔽部。遮蔽部具有透过部，该透过部中，靶侧的宽度窄，与靶相反侧的宽度宽。由于越远离靶，溅射粒子的密度越小，所以衬底的远离靶的部分长时间暴露于密度低的溅射粒子中，衬底的接近靶的部分短时间暴露于密度高的溅射粒子中，其结果是，在衬底的成膜面上形成膜厚分布均匀的膜。

公开(公告)号：CN101104920A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710128733.3

申请日：2007-07-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  爱发科股份有限公司

Inventor： 太田英伸 ,  寺泽寿浩 ,  清水三郎 ,  佐佐木德康 ,  半泽幸一 ,  松元孝文

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/46 ,  C23C14/225 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 提供一种成膜装置及成膜方法，在衬底和靶之间的位置配置膜厚控制用遮蔽部。遮蔽部具有透过部，该透过部中，靶侧的宽度窄，与靶相反侧的宽度宽。由于越远离靶，溅射粒子的密度越小，所以衬底的远离靶的部分长时间暴露于密度低的溅射粒子中，衬底的接近靶的部分短时间暴露于密度高的溅射粒子中，其结果是，在衬底的成膜面上形成膜厚分布均匀的膜。