公开(公告)号：CN1833313A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480018059.8

申请日：2004-06-24

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 安西纯一郎 ,  中野良宪 ,  川崎真一 ,  中武纯夫 ,  真弓聪 ,  宫本荣司 ,  武内稔公

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 在用于将处理气体通过孔排比如狭缝喷射到有待处理的物体的表面的处理设备中，即使该孔排很短，具有大面积的物体的表面也可以被有效地处理。多个电极板(11，12)被并排地设置于等离子表面处理设备(M)的处理器(1)上。狭缝状的孔排(10a)形成于相邻的电极板之间，并且由并排设置的孔排(10a)组成孔排组(100)。该物体(W)通过移动机构(4)沿着每个狭缝(10a)的延伸方向移动。

公开(公告)号：CN1672248A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817749.8

申请日：2003-06-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 江口勇司 ,  中岛节男 ,  伊藤巧 ,  川崎真一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H05H1/42

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的CVD法在基板(S)的表面形成氧化膜的装置，具备供给由TMOS、MTMOS等含硅气体构成的原料气体(A)、由O2、N2O等氧化性气体构成的反应气体(B)这样的2成分工艺气体的工艺气体供给源(3A)、(3B)、放电处理部(1)。通过对工艺气体(A)不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部1进行了放电处理的工艺气体(B)中，从而在常压下的CVD法中，用较快的成膜速度形成膜质·覆盖性良好的氧化膜。另外，如果混合进行了放电处理或未进行放电处理的H2O则更为理想。

公开(公告)号：CN102791777B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180012728.0

申请日：2011-02-28

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中野良宪 ,  野上光秀 ,  川崎真一 ,  佐藤崇 ,  松崎纯一

IPC: C08J7/00 ,  G02B1/12 ,  G02B5/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: B29D11/00634 ,  G02B5/3033 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/485

Abstract: 本发明提供一种膜表面处理装置，在将聚合性单体作为反应成分而对偏振板用保护膜等被处理膜进行等离子体处理时，能够防止电极等的污垢且提高粘接性等处理效果。在第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。使电极(11、12)旋转，从电极(11)向电极(12)输送被处理膜(9)。使反应气体喷嘴(31)沿着第一辊电极(11)的周向从电极(11、12)间的放电空间(14)向电极旋转方向的上游侧离开，且以与第一辊电极(11)对置的方式配置。优选在第一辊电极(11)上覆盖遮蔽构件(40)。从喷嘴(31)吹出含有聚合性单体的反应气体。在第一、第二辊电极(11、12)彼此之间的被处理膜(9)的折返部分(9a)的内侧配置有放电生成气体喷嘴(21)。从放电生成气体喷嘴(21)向放电空间(14)吹出不含有聚合性单体的放电生成气体。

公开(公告)号：CN102812073A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180015223.X

申请日：2011-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 佐藤崇 ,  野上光秀 ,  中野良宪 ,  川崎真一

IPC: C08J7/00

CPC classification number: B29C59/14

Abstract: 本发明提供膜表面处理装置，在使含有反应成分的反应气体活化而对被处理膜进行表面处理时能够使反应成分充分反应，并防止在电极上附着污垢。在主处理部(10)的第一辊电极(11)及第二辊电极(12)上卷挂被处理膜(9)。通过辊电极(11、12)的旋转使被处理膜(9)从电极(11)向电极(12)输送。从喷嘴(23)向比电极(11、12)间的主放电空间(19)靠输送方向的上游侧的位置或放电空间(19)内的膜(19)上喷出反应气体。在比主处理部(10)靠输送方向的下游的位置设置再活化部(30)。优选，使再活化部(30)的后段电极(31)与第二辊电极(12)对置，将第二辊电极(12)兼用作再活化部(30)的另一方的后段电极。从气体供给部(33)向电极(31、12)之间供给不含有反应成分的放电生成气体。

公开(公告)号：CN102459353A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080028415.X

申请日：2010-06-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 中野良宪 ,  屋良卓也 ,  野上光秀 ,  川崎真一 ,  松崎纯一 ,  长谷川平

IPC: C08F2/00 ,  C08J7/18 ,  G02B1/12 ,  G02B5/30

CPC classification number: C08J7/18 ,  G02B5/3033

Abstract: 本发明提供一种膜表面处理方法及装置以及偏振片的制造方法。可靠地提高难胶粘性树脂膜的胶粘性。将应与易胶粘性树脂膜(12)胶粘的难胶粘性树脂膜(11)配置于大气压附近的处理空间(22)。将含有丙烯酸等第1聚合性单体蒸气的气体通过第1供给路(36)，引导至难胶粘性树脂膜(11)的附近。将含有HEMA等第2聚合性单体蒸气的气体不与上述第1聚合性单体混合地通过第2供给路(46)，引导至难胶粘性树脂膜(11)的附近。通过大气压附近的等离子使上述第1及第2聚合性单体活化，与难胶粘性树脂膜11反应。

公开(公告)号：CN1811012A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005949.6

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  山嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52，通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中，设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触，从而加工基材W。