公开(公告)号：CN1811012A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005949.6

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  山嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52，通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中，设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触，从而加工基材W。