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公开(公告)号:CN111261355B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202010121476.6
申请日:2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用,原料组合物包含如下组分:R:28~33wt%;R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2,R2的含量为0.2~1wt%;R1包括Nd、且不含RH;R2包括Tb;B:0.9~1.1wt%;Cu:0.15wt%以下、且不为0wt%;M:0.4wt%以下、且不为0wt%;M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种;Fe:60~70.5wt%;Co:<0.5wt%、且不为0wt%;RH为重稀土元素。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号:CN112086256B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202011059274.X
申请日:2020-09-30
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁及制备方法,所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁包括磁铁烧结体及复合在磁铁烧结体表面的含硅层及含重稀土层,所述含重稀土层位于所述含硅层上,所述磁铁烧结体表面的至少一部分被所述含硅层覆盖,所述含硅层表面的至少一部分被所述含重稀土层覆盖,所述含硅层含有硅、二氧化硅及碳化硅中的至少一种,所述含重稀土层含有重稀土,所述重稀土选自镝、铽和钬中的至少一种,所述磁铁烧结体表面至1μm以上深度分布有所述的重稀土。本发明通过在磁铁烧结体的表面的至少一部分覆盖含硅层,可促进重稀土元素的扩散,改善磁铁的性能。当含重稀土层含有重稀土氟化物时,还可以有效减少氟元素往磁铁内部的扩散。
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公开(公告)号:CN111223626B
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202010121477.0
申请日:2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用,原料组合物包含如下组分:R:28~33wt%;R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2,R2的含量为0.2~1wt%;R1包括Nd、且不含RH;R2包括Tb;B:0.9~1.1wt%;Cu:0.15wt%以下、且不为0wt%;M:0.4wt%以下、且不为0wt%;M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种;Fe:60~70.65wt%;RH为重稀土元素;原料组合物中不含有Co;wt%为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号:CN111223627A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN202010121486.X
申请日:2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用,其包含如下组分:R:28~33wt%;R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2,R2的含量为0.2~1wt%;R1包括Nd、且不含RH;R2包括Tb;B:0.9~1.1wt%;Cu:0.15wt%以下、且不为0wt%;M:0.4wt%以下、且不为0wt%;M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种;Fe:60~70.6wt%;RH为重稀土元素;原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号:CN110106334A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201810306660.0
申请日:2018-04-08
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。
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公开(公告)号:CN115881377A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202111167855.X
申请日:2021-09-27
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该晶界扩散材料包括烧结体和扩散源;所述的烧结体包括以下组分:R:29~32wt.%,R为稀土元素;M:0.1~2wt.%;M包括Cu、Ga和Co中的一种或多种;B:0.9~1.0wt.%;Fe:65~70wt.%,wt.%为各组分的质量与烧结体总质量的百分比;扩散源包括以下组分:Tb:60~85wt.%;Ga:10~30wt.%;Cu:5~20wt.%,wt.%为各组分的质量与扩散源总质量的百分比。本发明中的晶界扩散材料能够更显著的提高钕铁硼磁体材料的矫顽力,同时维持较高的剩磁以及磁性能的高温稳定性。
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公开(公告)号:CN111613410B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202010501412.9
申请日:2020-06-04
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22F1/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/30 , C22C38/32 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C38/52 , C22C38/54 , C22C38/60
Abstract: 本发明公开了钕铁硼磁体材料、其原料组合物、其制备方法和应用。原料组合物包括R1,0.2~1mas%,主合金A中,其包括RA、且RA包括Nd,RA,27.5~28.5mas%;N1,0~0.3mas%;B,0.94~1.1mas%;Fe,60~71.5mas%;各组分之和为100mas%;主合金B中,其包括RB、且RB包括Nd,RB,29~31mas%;N2,0~0.3mas%;B,0.85~1mas%;Fe,60~70mas%;N1和N2的含量不同时为0;主合金A和主合金B的质量比为50:50~95:5。由该原料组合物制得的钕铁硼磁体材料的晶界连续性提高、三角区面积减少、温度系数降低。
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公开(公告)号:CN111451498B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202010131961.1
申请日:2020-02-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: B22F3/10
Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金烧结的脱脂方法,将烧结毛坯装入真空烧结炉的加热区内,对炉内抽真空至真空度低于1Pa时,边通入惰性气体边抽真空,使炉内的气压维持在150~200Pa之间,同时启动加热使炉内升温至200~800℃使烧结毛坯的脂类添加物气化,气化的脂类由惰性气体带动流向螺旋式冷凝井,沿冷却螺旋气道螺旋式前进并冷却至小于100℃,脂类冷凝后回收。通过本发明的方法,真空炉壁上冷凝的脂大大减少,降低了材料中的碳含量,提高材料性能;含脂气体通过螺旋式冷凝井使油脂与气体充分分离,洁净度提高,保护了真空设备,减少设备的维护频率,提高设备使用寿命,减少环境污染。
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公开(公告)号:CN111312461B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202010121798.0
申请日:2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物,包括如下质量含量的组分:R:28~33%;所述R为稀土元素,R包括R1和R2,R1为熔炼时添加的稀土元素,所述R1包括Nd和Dy;R2为晶界扩散时添加的稀土元素,R2包括Tb,R2的含量为0.2%~1%;Co:<0.5%、但不为0;M:≤0.4%、但不为0,M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种;Cu:≤0.15%、但不为0;B:0.9~1.1%;Fe:60~70%;百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的钕铁硼磁体材料具有较高的剩磁、矫顽力、且热稳定性佳。
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公开(公告)号:CN109735687B
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN201811215366.5
申请日:2018-10-18
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。
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