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公开(公告)号：CN113299239A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110428547.1
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种电场调控的有源阵列显示器件。行电极阵列和列电极阵列垂直交叉形成的阵列像元区域；阵列像元区域中的每一像元区域均设有一像元和公共电极；像元包括发光体、驱动电极、选择电极、控制电极；驱动电极与公共电极电气连接，选择电极与所述行电极电气连接，所述控制电极与列电极电气连接；对驱动电极施加交流电压信号，为发光体的发光提供能量；控制电极和选择电极形成调制电场，实现对发光体发光亮度的调控。本发明有源阵列显示器件在每一个像元位置采用电场开关，该电场开关仅通过电场调控就可以实现发光器件的亮度调节，有利于缩小像元尺寸，降低器件制备复杂度、成本，有望实现具有亚微米级甚至纳米像元的极高分辨率显示。
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公开(公告)号：CN111834502A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113702682A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111173522.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于激光器的非电学接触式远距离传输电压互感器及其工作方法，其第一导电基板、第二导电基板、激光二极管（组）、激光接收处理模块、绝缘支撑模块。激光二极管（组）由激光二极管和其他电子元件组成；激光二极管模组的一个端口连接第一导电基板，激光二极管模组的一个端口连接第二导电基板，从而形成第一导电基板/激光二极管（组）/第二导电基板电感应模块；电感应模块靠近所要探测的架空高压输电线但并无直接接触；激光接收处理模块用于探测激光二极管的激光信号强度，该激光信号强度反映出所探测的电压值；绝缘支撑模块用于实现电感应模块与所探测高压线的电气隔离。
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公开(公告)号：CN113409721A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110428676.0
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/32 , G09G3/34 , G09G3/3225
Abstract: 本发明提供了一种发光器件电场驱动调制装置，其特征在于，包括发光器件、绝缘层、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极；所述第一驱动电极与调制电极位于发光器件的一侧，所述第二驱动电极位于发光器件的另一侧；所述发光器件、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极相互之间设有所述绝缘层；其中，向驱动电极施加驱动信号为所述发光器件的发光提供能量，向调制电极施加调制信号在所述发光器件周围形成调制电场；通过施加电信号于驱动电极和调制电极形成不同电场耦合方式，对所述发光器件进行驱动调制。本发明有利于缩小发光像元尺寸，降低器件制备复杂度。
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公开(公告)号：CN112782901B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110114259.9
申请日：2021-01-28
IPC: G02F1/167 , G02F1/1675 , G02F1/1685 , G06F3/041 , G06F3/047
Abstract: 本发明涉及一种自供电非易失性显示装置。包括：第一绝缘层，置于第一绝缘层上的电极层，第二透明绝缘层，以及书写工具和擦除工具，在电极层和第二绝缘层之间填充的具有非易失性双稳态特性的显示介质，在电极层和第二透明绝缘层之间填充有隔离层。利用书写工具在第二透明绝缘层表面绘制图案，从而在书写工具划过的地方形成图形化分布的静电，形成局部电场驱动具有非易失性双稳态特性的显示介质，最终显示出该图案；利用擦除工具在第二透明绝缘层表面擦涂，消除所述局部电场，从而擦除已经显示的图案。本发明可应用于画图板、展示牌、广告牌、黑板等原型以传统纸张、油墨、碳粉、粉笔等为材料的显示领域，具有可重复使用与节能环保优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471091B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110532053.8
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN113409721B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110428676.0
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/32 , G09G3/34 , G09G3/3225
Abstract: 本发明提供了一种发光器件电场驱动调制装置，其特征在于，包括发光器件、绝缘层、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极；所述第一驱动电极与调制电极位于发光器件的一侧，所述第二驱动电极位于发光器件的另一侧；所述发光器件、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极相互之间设有所述绝缘层；其中，向驱动电极施加驱动信号为所述发光器件的发光提供能量，向调制电极施加调制信号在所述发光器件周围形成调制电场；通过施加电信号于驱动电极和调制电极形成不同电场耦合方式，对所述发光器件进行驱动调制。本发明有利于缩小发光像元尺寸，降低器件制备复杂度。
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公开(公告)号：CN113299239B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110428547.1
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种电场调控的有源阵列显示器件。行电极阵列和列电极阵列垂直交叉形成的阵列像元区域；阵列像元区域中的每一像元区域均设有一像元和公共电极；像元包括发光体、驱动电极、选择电极、控制电极；驱动电极与公共电极电气连接，选择电极与所述行电极电气连接，所述控制电极与列电极电气连接；对驱动电极施加交流电压信号，为发光体的发光提供能量；控制电极和选择电极形成调制电场，实现对发光体发光亮度的调控。本发明有源阵列显示器件在每一个像元位置采用电场开关，该电场开关仅通过电场调控就可以实现发光器件的亮度调节，有利于缩小像元尺寸，降低器件制备复杂度、成本，有望实现具有亚微米级甚至纳米像元的极高分辨率显示。
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公开(公告)号：CN111834502B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113471092A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532077.3
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无接触检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、位移装置、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一基板尺寸不大于待测LED芯片的尺寸，且不与待测LED芯片发生接触；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述位移装置用于控制第一基板和第二基板的相对位置；所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；所述供电系统分别连接第一导电板和第二导电板。每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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