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公开(公告)号：CN104051629A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410297061.9
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0003
Abstract: 本发明提供了一种基于喷涂工艺制备钙钛矿型太阳能电池的方法，具体为通过在透明导电基底上依次喷涂空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层以及顶电极而制备得到。通过改变喷涂工艺的不同参数，可以实现对器件质量及性能的调控。本发明简单易行，能够实现低成本的高效钙钛矿太阳能电池的制备，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN119677377A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411865953.4
申请日：2024-12-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K50/115 , H10K85/50 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开了一种具有快速响应功能的高分辨率钙钛矿量子点发光层及其制备方法，包括具有快速电学响应特性的钙钛矿量子点的合成和高分辨率的钙钛矿量子点发光层的制备，具有快速电学响应特性的量子点材料使用了离子液体作为功能配体合成，而高分辨量子点发光层则通过旋涂在具有高分辨图案化的空穴传输层凹槽（bank）上形成。本发明通过使用具有离子液体作为配体的具有快速电学响应特性的量子点材料作为高分辨率器件中的发光层，极大的提高了器件的电学响应速度，器件在电脉冲刺激下启亮并达到稳定的响应时间小于5微秒，满足了钙钛矿量子点高分辨器件在未来显示应用中的高刷新率要求。
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公开(公告)号：CN118647248A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410774409.2
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法，其全彩发光层的制备过程为：先使用小周期的条状PDMS模板通过转印技术在水平和垂直方向各转印一次阻挡层材料以形成网格状阻挡层，再使用两倍于小周期的的大周期条状PDMS模板在水平和垂直方向分别转印第一量子点和第二量子点，最后旋涂第三量子点，得到高分辨全彩发光层。可以实现高分辨全彩QLED器件中红、绿、蓝三种量子点的像素分离和精确定位，提高器件的色彩饱和度和显示效果。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN116847698A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310879516.7
申请日：2023-07-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化亲水疏油绝缘材料制备微纳QLED的方法。在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极，所述图案化绝缘材料的制备方法为：预先制备蜂窝状PDMS印章；在空穴传输层上旋涂聚合物薄膜；用PDMS在聚合物上压印，即可得到柱状聚合物薄膜；在柱状聚合物薄膜上旋涂绝缘材料，然后用溶剂将聚合物洗掉；用氟硅烷对绝缘材料进行化学气相沉积处理。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN112625680B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112625681A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN108003366A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711456085.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胀作用的柔性可拉伸量子点发光膜，包括柔性可拉伸膜片和包覆于膜片内部的量子点。量子点通过溶胀作用包覆在发光膜内部，可通过改变量子点种类，在同种激发光的照射下发出不同波长的光线，发光膜可覆盖在各种不同形状、不同波长的光源表面，使之发出高纯度的光线。同时，该发光膜具有很好的防水性和生物相容性，对表面光源修饰、防水高纯度光源等的研发具有一定的意义。
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公开(公告)号：CN107747212A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711192580.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点的荧光纤维的制备方法，其是利用良性溶剂配制一定浓度的钙钛矿前驱体溶液，然后加入适量的表面封端剂，将多孔纤维于该溶液中浸泡、超声静置后捞出，再将不良溶剂涂覆于所得多孔纤维表面，经真空干燥、封装处理制得所述基于钙钛矿量子点的荧光纤维。本发明采用溶液法，在低温条件下大面积制备具有高荧光效率的钙钛矿量子点荧光纤维，其拓宽了荧光纤维材料的制备空间，大大简化了荧光纤维的制备流程，有利于工业化量产荧光纤维。
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公开(公告)号：CN103682054A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310716400.8
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/52
CPC classification number: H01L51/0001
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底上制备一光电器件；S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；S4：制备一复合薄膜；S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。本发明提供的石墨烯层/聚合物叠层复合薄膜具有良好的隔水氧的功能，并且具有良好的机械柔韧性，在光电器件封装方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN119342982A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437191.8
申请日：2024-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/13 , H10K50/16 , H10K50/165 , H10K71/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种基于光交联的叠层量子点发光二极管及其全溶液制备方法，属于显示技术领域。所述基于光交联的叠层量子点发光二极管包括自下而上依次设置的阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、交联电子传输层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二量子点发光层、电子传输层、金属阴极。其中，交联电子传输层与第二空穴注入层共同构成连接层。所述交联电子传输层是通过将含光敏剂的可交联聚合物与电子传输层材料共混形成墨水，经旋涂和紫外光照处理后得到。本发明不仅有助于提高电子传输层的耐溶性和平整性，增强连接层的电荷生成能力，同时还能有效保护下层功能层免受上层功能层溶剂的侵蚀，从而有利于器件整体性能的提升。
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