公开(公告)号：CN110344025B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910816710.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  彭建邦 ,  余新江 ,  萨百晟 ,  蔡书畅

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明属于低维纳米薄膜材料领域，具体涉及一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法。将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域，将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域，预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下，以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域，反应一段时间，反应生成物沉积于玻璃基底上，再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理，得到二维Zn掺杂Ca2Si薄层材料。该方法制备工艺简单，产品纯度较高，有望能够实现大规模、高质量的二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜的生产，具有很好的产业化前景。

公开(公告)号：CN109999881B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201910329901.8

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  李瑞峰 ,  张致远 ,  萨百晟 ,  白诺楠 ,  彭建邦

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法在含氮气氛下合成尺寸均匀的N掺杂第Ⅲ主族硫属化物薄片，在反应温度下保持10‑20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气与氨气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的掺N正交相第Ⅲ主族硫属化物薄片，制备工艺简单，可规模化量产，有望应用于光催化领域。