-
公开(公告)号：CN116387367A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310392445.8
申请日：2023-04-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明提出沟槽与场板复合终端结构的高压氧化镓肖特基势垒二极管，自下而上顺序设置阴极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层、氧化物介质层、阳极金属层以及金属场板层，低掺杂N型氧化镓外延层在其终端区经刻蚀形成容置阳极金属层的沟槽结构；阴极金属层作为氧化镓肖特基势垒二极管的阴极；所述的氧化物介质层侧面与沟槽结构内的阳极金属层接触；所述的金属场板层覆盖且接触氧化物介质层的部分上表面以构成场板结构；本发明能降低介质层材料的厚度，使其能有效地应用于工业生产中，并解决终端区电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高氧化镓SBD器件耐压性能，使其更接近理想耐压数值，实现高击穿性能，并增加器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN115240110A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210871753.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于PYNQ的商品智能监控方法及其装置，采用Python+FPGA的设计框架，提出基于视觉识别的监测系统。PYNQ架构是在原有ZYNQ基础上加入Python库而成的一种开放源代码框架，PYNQ架构可降低系统开发难度同时增大底层逻辑代码的通用性。可编程逻辑电路作为overlay向上层提供服务，使用Python对处理器和overlays进行编程。此外PYNQ作为一个开源框架，可以运行在任何设备和操作系统上。该系统通过摄像头采集视频画面，经过神经网络判断商品种类，并送给服务器后台实时监控商品状态，应用本技术方案可以实现商品种类丰富、维护成本低、可远程操控的商品监控装置。
-
公开(公告)号：CN119593066A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411981087.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 福州大学 , 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓原位剥离设备及制备氮化镓单晶的方法，其中一种氮化镓原位剥离设备包括具有气体入口和气体流出口的反应腔，所述反应腔上设有能够控制其体内温度的加热器，所述反应腔内安装有光学级石英托和放置在光学级石英托上用于外延生长氮化镓的外延衬底，所述反应腔的下部设有光学级石英片，所述反应腔的下方设有激光器，所述激光器向外延衬底方向发射激光，以使激光依次经过光学级石英片、光学级石英托和外延衬底到达外延衬底与氮化镓的交界面，本发明避免了在降温过程中，由于氮化镓和蓝宝石热膨胀系数差异过大导致的崩裂现象，外延后的氮化镓单晶可直接用于研磨抛光，不需要再做一次外延，节省了工序和时间。
-
公开(公告)号：CN117336294A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311300267.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种节能的海洋依赖性任务卸载和资源分配方法，海洋网络中船舶用户将依赖性任务卸载到由海上基站和服务节点（浮标、船只等）组成的分布式计算网络，基站服务器根据任务的依赖关系生成依赖关系矩阵，根据用户任务的依赖关系和延迟限制，构建优化问题。利用蒙特卡洛算法获得卸载策略，其次利用粒子群算法来分配服务节点的计算资源，最后联合迭代两个算法获得最小能耗。
-
公开(公告)号：CN117276314A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311304357.4
申请日：2023-10-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种沟槽与金属环复合终端结构的高压氧化镓肖特基二极管。在阳极边缘对氧化镓SBD的外延层进行刻蚀，形成沟槽结构，并在沟槽中淀积金属环，形成沟槽与金属环复合的终端结构。采用阶梯型终端将阳极边缘的电场集中点截断，减少了该区域过剩的氧化镓阳离子，从根源上减小了器件的峰值电场，金属环的加入能够更好的扩展耗尽区，使电场分布更加均匀，进一步提升器件的耐压能力和稳定性，并且可以采用与器件肖特基电极相同的金属，不需要离子注入等额外的工艺步骤，制作工艺简单，降低了器件的制造成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117255236A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311272360.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 福州大学
IPC: H04N21/8547 , H04N21/43 , H04N21/433 , H04N7/14
Abstract: 本发明提供一种用于数字可视化对讲的音视频同步方法，在该方案中，主要由数据采集编码模块，编码数据封装同步模块和封装数据传输模块三部分构成。该方案主要通过控制编码缓冲数据和封装时间来对音视频同步进行调控，同时设置两级时间戳限和三级缓冲限对音视频进行分级调控，实现动态循环，是一种单推送流程处理、对时间戳依赖性小的音视频同步方案。
-
公开(公告)号：CN117144361A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311126312.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法。该方法采用原子层沉积技术(ALD)在含SiO2氧化层的硅晶片上制备了铁及氧化铝薄膜作为碳纳米管生长的催化剂，然后采用化学气相沉积技术(CVD)，以铁/氧化铝为催化剂，在硅晶圆上制备碳纳米管晶圆阵列。该方法可以控制碳纳米管的薄膜微观结构、介电常数以及其他电学性能等特点。同时利用碳纳米管与SnZn合金集成，成功地实现了工作温度从200℃到400℃的控制。本发明给出了碳纳米管从催化剂制备到薄膜生长的完整流程以及将碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法，可用于基于碳纳米管复合材料且具有宽范围工作温度要求的器件制造。
-
公开(公告)号：CN117080268A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311218371.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/24
Abstract: 本发明涉及一种集成肖特基势垒二极管的具有低反向导通功耗的氧化镓FinFET，包括FinFET区与肖特基势垒二极管区，FinFET区与肖特基势垒二极管区均包括自下而上依次设置的漏极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层，FinFET区的漏极电极与肖特基势垒二极管区的阴极电极共用漏极金属层，FinFET区还包括低掺杂N型氧化镓Fin沟道层、栅极介质层、栅极金属层、氧化物介质层、高掺杂N型氧化镓外延层、源极金属层，肖特基势垒二极管区还包括阳极金属层，阳极金属层沉积在低掺杂N型氧化镓外延层上方，并与低掺杂N型氧化镓外延层形成肖特基接触。在FinFET结构基础上集成肖特基势垒二极管，在保证低正向导通损耗、高击穿电压和高阈值电压的同时，降低反向导通损耗。
-
公开(公告)号：CN117061639A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311272519.0
申请日：2023-09-28
Applicant: 福州大学
IPC: H04L69/24 , H04L65/1104 , H04L65/1069 , G06F16/2455
Abstract: 本发明提供一种基于SIP协议的通信参数缓存与动态协商方法，以克服现有技术中存在的问题，并提供更高效、更灵活的通信体验。通过建立数据库来管理通信双方的协商参数，建立通信前从数据库中快速检索出需要的通信参数，提高了通信效率；引入自定义字段IS_PARAM_USED，来指示需要重新协商的参数，解决了参数缓存在不同场景的适应性问题。
-
公开(公告)号：CN115863447A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310020625.3
申请日：2023-01-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供了一种利用High‑k介质材料的氧化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，氧化镓肖特基势垒二极管自下而上包括阴极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层及阳极金属层；所述氧化镓肖特基势垒二极管分为导电区与终端区两部分；应用本技术方案可提高器件的耐压能力，同时降低器件制备的成本。有望在某些特定领域取代传统Si基功率器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.031 seconds)
