公开(公告)号：CN117144361A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311126312.2

申请日：2023-09-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  赵安文 ,  杨丹 ,  张海忠

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C22C18/00

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法。该方法采用原子层沉积技术(ALD)在含SiO2氧化层的硅晶片上制备了铁及氧化铝薄膜作为碳纳米管生长的催化剂，然后采用化学气相沉积技术(CVD)，以铁/氧化铝为催化剂，在硅晶圆上制备碳纳米管晶圆阵列。该方法可以控制碳纳米管的薄膜微观结构、介电常数以及其他电学性能等特点。同时利用碳纳米管与SnZn合金集成，成功地实现了工作温度从200℃到400℃的控制。本发明给出了碳纳米管从催化剂制备到薄膜生长的完整流程以及将碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法，可用于基于碳纳米管复合材料且具有宽范围工作温度要求的器件制造。