公开(公告)号：CN116387367A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310392445.8

申请日：2023-04-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 张海忠 ,  陈得森 ,  许晓锐

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提出沟槽与场板复合终端结构的高压氧化镓肖特基势垒二极管，自下而上顺序设置阴极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层、氧化物介质层、阳极金属层以及金属场板层，低掺杂N型氧化镓外延层在其终端区经刻蚀形成容置阳极金属层的沟槽结构；阴极金属层作为氧化镓肖特基势垒二极管的阴极；所述的氧化物介质层侧面与沟槽结构内的阳极金属层接触；所述的金属场板层覆盖且接触氧化物介质层的部分上表面以构成场板结构；本发明能降低介质层材料的厚度，使其能有效地应用于工业生产中，并解决终端区电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高氧化镓SBD器件耐压性能，使其更接近理想耐压数值，实现高击穿性能，并增加器件可靠性。

公开(公告)号：CN115863447A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310020625.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 福州大学

Inventor： 张海忠 ,  陈得森 ,  许晓锐

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供了一种利用High‑k介质材料的氧化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，氧化镓肖特基势垒二极管自下而上包括阴极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底、低掺杂N型氧化镓外延层及阳极金属层；所述氧化镓肖特基势垒二极管分为导电区与终端区两部分；应用本技术方案可提高器件的耐压能力，同时降低器件制备的成本。有望在某些特定领域取代传统Si基功率器件。

公开(公告)号：CN115605031A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211266469.0

申请日：2022-10-15

Applicant: 福州大学(CN)

Inventor： 张海忠 ,  陈得森 ,  邱鹏

IPC: H10K30/65 ,  H10K30/81 ,  H10K85/60 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及一种用于仿生视觉系统的柔性光电感知器件，包括柔性衬底、底部栅电极、底部介电层、光电响应层、源电极、漏电极、顶部介电层和顶部栅电极，所述底部栅电极、底部介电层、光电响应层、顶部介电层和顶部栅电极依次叠设在柔性衬底上，所述源电极、漏电极分别设于光电响应层上，与光电响应层形成电接触；所述光电响应层位于顶、底部介电层中间，形成DGBC器件架构；所述光电响应层采用可调谐带隙的TIPS‑并五苯有机半导体材料，以实现光电响应波长与人眼可感知光波长相匹配。该柔性光电感知器件有利于模拟生物突触行为，实现仿生光电感知功能。