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公开(公告)号：CN102412368A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110292265.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
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