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公开(公告)号：CN111834502B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113471092A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532077.3
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无接触检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、位移装置、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一基板尺寸不大于待测LED芯片的尺寸，且不与待测LED芯片发生接触；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述位移装置用于控制第一基板和第二基板的相对位置；所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；所述供电系统分别连接第一导电板和第二导电板。每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690329B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910984757.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN111834503A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535548.1
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN110676284A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910984750.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN110676284B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910984750.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN110690329A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910984757.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。
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