以工业废弃物为主原料的绿色环保土壤固化剂及其使用方法

    公开(公告)号:CN101747902A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910312110.0

    申请日:2009-12-24

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 詹红兵 冯苗

    Abstract: 本发明提供一种以工业废弃物为主原料的绿色环保土壤固化剂及其使用方法,克服现有技术中采用以石灰或水泥为主有成分为硬化剂在硬化后形成完全致密的结构,植物无法在其中生长,不利于道路建设中的绿化等问题;本发明的土壤固化剂以工业废弃物为主要原料,与预糊化淀粉和聚丙烯酸钠混合均匀而成;所述的工业废弃物为粉煤灰、高炉矿渣或硅微粉中的一种或几种的组合物,用于固化土壤、防止水土流失;使用方法为:将所述土壤固化剂与植物种子、土壤和水搅拌混合成淤泥状复合土壤,喷覆于施工面,则可于短时间内固化,在通常的降雨情况下不发生水土流失。水渗透性、透气性、保水性、保肥性好,pH值呈中性,有助于植物的发芽和生长。

    一种硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117684208A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311578020.2

    申请日:2023-11-24

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 冯苗 吴濠庭

    Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料及其制备方法,其制备方法包括:首先,将经过盐酸亲水化预处理后的碳布置于六水合硝酸镍、氯化铵、尿素的混合水溶液中水热反应,得到Ni(OH)2纳米片/碳布前体;然后,将硫粉、硒粉和Ni(OH)2纳米片/碳布前体分别放入管式炉中,利用化学气相沉积法制备获得硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料。本发明采用硫粉和硒粉同时升华,在单质硒与Ni(OH)2纳米片反应生成NiSe2纳米片的同时引入硫掺杂,得到硫掺杂NiSe2纳米片/碳布电极材料。通过调控硫的掺杂优化NiSe2电子结构,增加催化活性位点密度,从而提高材料电化学催化活性。

    一种金属离子掺杂硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN117585912A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311578110.1

    申请日:2023-11-24

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 冯苗 王伟铨

    Abstract: 本发明公开了一种金属离子掺杂硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的制备方法,可以显著提高其光电性能,属于无机光电材料领域的技术。该方法首先在FTO导电玻璃上水热生长硫化镉纳米棒阵列,然后通过溶剂热法在硫化镉表面生长金属离子掺杂的硫铟锌纳米颗粒,形成金属离子掺杂硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列。通过调控金属离子掺杂的种类与浓度,进一步提升硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的光电化学性能。本发明方法操作简便且高效环保,硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列具有较高的光生载流子分离传输效率,金属离子对硫铟锌的掺杂有利于增加材料的光电化学活性位点,提升复合纳米棒阵列的光电转换效率。

    一种硫化镉-硫铟锌异质结纳米棒阵列复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114016077B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202111263945.9

    申请日:2021-10-28

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 冯苗 郭海江

    Abstract: 本发明公开了一种硫化镉‑硫铟锌异质结纳米棒阵列复合材料及其制备方法,属于无机光电材料领域的技术。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上水热生长硫化镉纳米棒阵列,然后通过溶剂热法在硫化镉表面外延生长硫铟锌纳米片,形成硫化镉‑硫铟锌异质结纳米棒阵列复合材料。通过控制铟源和锌源前驱体,在硫化镉纳米棒表面生长不同形貌的硫铟锌。本发明方法简单易行,重复性好,生长的硫化镉纳米棒阵列排列整齐均匀。硫化镉‑硫铟锌异质结的形成增加了活性位点,加速光生载流子的分离,进而提高硫化镉纳米阵列材料的光电性能和稳定性,可用于光电催化领域。

    一种钴掺杂纳米Ni2P/泡沫镍电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115595633A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211204914.0

    申请日:2022-09-30

    Inventor: 冯苗 廖峻豪

    Abstract: 本发明公开一种钴掺杂纳米Ni2P/泡沫镍电极材料及其制备方法,其制备方法为:首先将经过丙酮、盐酸、去离子水预处理后的泡沫镍放入含有硝酸钴的盐酸溶液中进行水热反应,得到钴掺杂氢氧化镍纳米片/泡沫镍前体;然后采用低温拓扑磷化法,将钴掺杂氢氧化镍纳米片/泡沫镍前体与次磷酸钠进行低温磷化反应,得到钴掺杂Ni2P纳米片/泡沫镍电极材料。本发明中钴离子的掺杂具有双重功能,既调节了Ni2P的氢脱附自由能,增加活性位点,又实现了磷化产物由Ni2P和Ni12P5混合相向催化性能更好的Ni2P均一相转变,从而增强了该电极材料电解水制氢的HER性能,且制备过程具有高效率、原料成本低、操作安全简便、绿色环保特点。

    一种具有良好电化学性能的解开的氮掺杂碳纳米管衍生物

    公开(公告)号:CN104529545B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510001035.1

    申请日:2015-01-05

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 詹红兵 陈琳 冯苗

    Abstract: 本发明公开了一种具有良好电化学性能的解开的氮掺杂碳纳米管衍生物及其制备方法。用溶液化学氧化法沿纵向解开竹节状的氮掺杂多壁碳纳米管,获得氮掺杂碳纳米管衍生物,通过控制解开程度,可获得半解开时具有异质结结构的毛虫状氮掺杂石墨烯/碳管复合材料和全解开时的氮掺杂石墨烯纳米带。利用解开的碳纳米管对玻碳电极进行修饰,经电化学性能测试表明,本发明获得的材料具有高的比表面积、更多的反应活性位点和更高的电子转移速率,这使得其在电化学领域,诸如电容器、锂电池、电催化以及电化学传感器等上具有广泛的应用前景。

    一种石墨烯材料复合玻璃及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103910492A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410139886.8

    申请日:2014-04-09

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯材料复合玻璃及其制备方法和应用,采用常温溶胶-凝胶法将石墨烯材料引入固相基质,解决了石墨烯材料悬浮液的团聚问题。这里的石墨烯材料包含了不同维度和结构的石墨烯,如二维的氧化和还原的石墨烯纳米片,一维的氧化和还原的石墨烯纳米带,零维的石墨烯量子点等。玻璃基质指经过不同有机硅烷改性的硅酸盐玻璃。这种石墨烯复合玻璃具有良好的透光性、力学性能和热学稳定性,同时具有优于石墨烯悬浮液的光限幅效应,有望实现在激光防护领域的应用。

    以工业废弃物为主原料的绿色环保土壤固化剂及其使用方法

    公开(公告)号:CN101747902B

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200910312110.0

    申请日:2009-12-24

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 詹红兵 冯苗

    Abstract: 本发明提供一种以工业废弃物为主原料的绿色环保土壤固化剂及其使用方法,克服现有技术中采用以石灰或水泥为主有成分为硬化剂在硬化后形成完全致密的结构,植物无法在其中生长,不利于道路建设中的绿化等问题;本发明的土壤固化剂以工业废弃物为主要原料,与预糊化淀粉和聚丙烯酸钠混合均匀而成;所述的工业废弃物为粉煤灰、高炉矿渣或硅微粉中的一种或几种的组合物,用于固化土壤、防止水土流失;使用方法为:将所述土壤固化剂与植物种子、土壤和水搅拌混合成淤泥状复合土壤,喷覆于施工面,则可于短时间内固化,在通常的降雨情况下不发生水土流失。水渗透性、透气性、保水性、保肥性好,pH值呈中性,有助于植物的发芽和生长。

    一种纳米碳管-二氧化硅凝胶玻璃的制备技术

    公开(公告)号:CN101182098A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710009905.5

    申请日:2007-11-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供一种纳米碳管-二氧化硅凝胶玻璃的制备技术,本技术采用羧酸化、酰氯化、酰胺化三个步骤对CNTs进行表面改性、实现CNTs与APTES共价键合的基础上,采用溶胶-凝胶工艺将其引入到二氧化硅凝胶玻璃中。在水解-缩聚过程中,先驱液的TEOS、GPTMS、CNTs-APTES分别发生水解,并经过缩聚反应形成二氧化硅三维网络结构,而CNTs也借助于APTES而被化学键合到二氧化硅网络中,实现了在二氧化硅凝胶玻璃基质中的均匀分散,从根本上解决纳米碳管在基质中团聚问题,进而拓展纳米碳管的应用背景。

    一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法

    公开(公告)号:CN115888762B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202310029982.6

    申请日:2023-01-10

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 冯苗 张士林

    Abstract: 本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列,然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒,形成金属离子掺杂硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度,提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行,环境友好,金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜/氧化钛异质结复合材料的光吸收效率,增加活性位点,结合异质结构促进电荷分离的协同效应,进而在硫铟铜/氧化钛异质结的基础上,进一步提升了复合材料的光电化学性能。

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