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公开(公告)号：CN117585912A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311578110.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种金属离子掺杂硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的制备方法，可以显著提高其光电性能，属于无机光电材料领域的技术。该方法首先在FTO导电玻璃上水热生长硫化镉纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在硫化镉表面生长金属离子掺杂的硫铟锌纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列。通过调控金属离子掺杂的种类与浓度，进一步提升硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的光电化学性能。本发明方法操作简便且高效环保，硫铟锌/硫化镉异质结纳米棒阵列具有较高的光生载流子分离传输效率，金属离子对硫铟锌的掺杂有利于增加材料的光电化学活性位点，提升复合纳米棒阵列的光电转换效率。
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