公开(公告)号：CN115595633A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211204914.0

申请日：2022-09-30

Applicant: 福州大学(CN)

Inventor： 冯苗 ,  廖峻豪

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25B1/04 ,  C25B11/031 ,  C25B11/091 ,  C01B25/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种钴掺杂纳米Ni2P/泡沫镍电极材料及其制备方法，其制备方法为：首先将经过丙酮、盐酸、去离子水预处理后的泡沫镍放入含有硝酸钴的盐酸溶液中进行水热反应，得到钴掺杂氢氧化镍纳米片/泡沫镍前体；然后采用低温拓扑磷化法，将钴掺杂氢氧化镍纳米片/泡沫镍前体与次磷酸钠进行低温磷化反应，得到钴掺杂Ni2P纳米片/泡沫镍电极材料。本发明中钴离子的掺杂具有双重功能，既调节了Ni2P的氢脱附自由能，增加活性位点，又实现了磷化产物由Ni2P和Ni12P5混合相向催化性能更好的Ni2P均一相转变，从而增强了该电极材料电解水制氢的HER性能，且制备过程具有高效率、原料成本低、操作安全简便、绿色环保特点。