公开(公告)号：CN107919916B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201710936341.3

申请日：2017-10-10

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  J·鲍特斯 ,  J·E·罗斯 ,  E·诺伯格 ,  G·A·菲什

IPC: H04B10/572 ,  H04B10/61 ,  H04B10/40

Abstract: 描述了包括不对称Mach‑Zehnder干涉仪(AMZI)和相关检测器的集成波长锁定器的各种配置。各种实施例通过使用AMZI中的主动调谐元件以实现具有高锁定灵敏度的操作位置、使用相干接收机来降低锁定灵敏度的频率依赖性和/或使用温度传感器和/或张力计来计算地校正温度或张力改变的影响来提供改进的波长锁定精度。

公开(公告)号：CN113050304A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010225273.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/017

Abstract: 本公开的各实施例涉及具有改进的光电均匀性的电吸收调制器。公开了一种集成的电吸收调制器(EAM)，其被构造和/或操作以改进沿有源区的光电流密度的均匀性。在各种实施例中，这种改进是由于增加了EAM的后部处的光吸收，例如是通过加热后部区、增加跨EAM施加朝向后部的偏置电压，或改变朝向后部的本征层的材料组成而实现的。在另一实施例中，通过使用波导的锥形区段和EAM之间的重叠，沿着EAM的长度连续地将来自波导的光耦合到EAM有源区中来实现该改进。

公开(公告)号：CN114383749A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011560101.6

申请日：2020-12-25

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： C·巴纳德 ,  J·帕克

IPC: G01K11/00 ,  G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

Abstract: 涉及光子电路中的光学温度测量。利用其自身要被监测的光子器件的温度相关频谱特性、或者被放置在其附近的单独的光学温度传感器的温度相关频谱特性，光子电路组件的温度测量可以被光学地测量。通过支持对个体光子器件的温度的测量而不是仅仅对整体光子电路的温度的测量，这样的光学温度测量可以提供更精确的温度信息并且帮助改进热设计。

公开(公告)号：CN113871497A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111143955.9

申请日：2019-06-28

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  B·R·科赫 ,  G·A·菲什 ,  H·帕克

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H04B10/073 ,  H04B10/077 ,  H04B10/40

Abstract: 本发明的实施例涉及具有自测试功能性的正交入射光电探测器。光子集成的正交入射光电探测器(NIPD)以及相关联的、光学地耦合到NIPD的平面内波导结构可以被配置成允许平面内检测和正交入射检测。根据一些实施例，在诸如集成光学收发器的、具有光生成能力的光子电路中，使用NIPD的检测平面内光的能力来提供自测试功能性。

公开(公告)号：CN108335971A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710912337.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  G·A·菲什 ,  M·A·斯潘纳格尔 ,  A·拉巴罗

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/02008

Abstract: 呈现了用于利用原子层沉积(ALD)结合的光子和电子的异质性集成的方法和系统。一个方法包括用于形成化合物半导体和用于将保护材料(例如，Al2O3)的连续膜沉积(例如，经由原子层沉积)在化合物半导体的第一表面上的操作。而且，方法包括用于形成绝缘体上硅(SOI)晶圆的操作，其中SOI晶圆包括一个或多个波导。方法还包括将第一表面处的化合物半导体结合到SOI晶圆以形成结合结构以及处理结合结构。保护材料在结合结构的进一步的处理期间保护化合物半导体免受酸蚀刻。

公开(公告)号：CN107919916A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710936341.3

申请日：2017-10-10

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  J·鲍特斯 ,  J·E·罗斯 ,  E·诺伯格 ,  G·A·菲什

IPC: H04B10/572 ,  H04B10/61 ,  H04B10/40

CPC classification number: G02B6/12019 ,  G01J9/0246 ,  G02B6/12004 ,  H01S3/06754 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/0687 ,  H04B10/25 ,  H04B10/572 ,  H04B10/40 ,  H04B10/6164

Abstract: 描述了包括不对称Mach-Zehnder干涉仪(AMZI)和相关检测器的集成波长锁定器的各种配置。各种实施例通过使用AMZI中的主动调谐元件以实现具有高锁定灵敏度的操作位置、使用相干接收机来降低锁定灵敏度的频率依赖性和/或使用温度传感器和/或张力计来计算地校正温度或张力改变的影响来提供改进的波长锁定精度。