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公开(公告)号：CN105141113B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510497850.1
申请日：2015-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于IGBT驱动芯片的驱动电路。本发明的电路，主要是在传统的电路基础上，根据IGBT的大阈值电压的特性，栅极寄生电容较大，一般有几千PF甚至上万PF，需要较大电流充电，本发明可以保证IGBT栅极电压快速的充到阈值电压点，但是同时可以保证IGBT在t1到t3时间不会产生较大的dVge/dt和dic/dt，这样可以有效的保证IGBT的可靠性，同时加快IGBT的开启速度；因此实现了根据IGBT的本身的特性可以有效的防止di/dt和dV/dt过大,防止开启的峰值电流，关断的峰值电压过大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107346943B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710564643.2
申请日：2017-07-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 适用于DCM和CCM的双模式同步整流控制电路，属于电源管理技术领域。本发明结构简单，能够有效地减小整流导通损耗，实现同步整流的高效率。其中，第二负电平检测器实现了极小的死区时间控制；关断时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误开启，开启时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误关断；第一采样端采用高压器件LDMOS和DEMOS的漏极来承受高压，避免了用齐纳管对同步整流管M2的漏端VD进行箝位，防止同步整流管M2的漏端VD对地泄放电流；以上措施共同实现了同步整流的高效率；另外引入了同步控制模块，实现了电流连续模式CCM下的同步整流。
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公开(公告)号：CN105187047A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510497916.7
申请日：2015-08-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于IGBT驱动芯片的特高压电平位移电路。本发明的电路，包括脉冲电路产生模块、脉冲信号整形模块、特高压电平位移模块和RS触发器；其中，脉冲信号整形模块和特高压电平位移模块均由两个结构相同的子模块构成，每个子模块形成一条线路，其中的一条控制链用来产生高侧IGBT开启的脉冲信号链，一条产生高侧IGBT关断的脉冲信号链。本发明的有益效果为降低电平位移的功耗同时减缓NLDMOS的开启速度，减小NLDMOS的dV/dt，di/dt，增加NLDMOS的可靠性。
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公开(公告)号：CN107491129B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201710674465.9
申请日：2017-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。功率管的漏极通过第一分压电阻后连接第二分压电阻的一端和误差放大器的第一输入端，误差放大器的第二输入端接基准电压；钳位运放及前馈通路中第十四NMOS管MN14的栅极连接第十五NMOS管MN15的栅极和误差放大器的输出端，其漏极连接第十PMOS管MP10的漏极、第九PMOS管MP9的栅极和超级源随结构的正向输入端；第十PMOS管MP10的源极连接第九PMOS管MP9的漏极；第十一PMOS管MP11的栅漏短接并连接第十PMOS管MP10的栅极和第十五NMOS管MN15的漏极，其源极连接功率管的漏极；超级源随结构的负向输入端连接其输出端和功率管的栅极。本发明通过引入超级源随结构和钳位运放，提高了LDO高频段的电源抑制PSR。
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公开(公告)号：CN107256062A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710604992.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种无电阻式基准源，属于电源管理技术领域。包括启动电路，在电源建立时使所述基准源脱离零状态，在启动完成后退出；基准电压产生电路，选择阈值电压负温系数较大的PMOS管和负温系数较小的NMOS管，由PMOS管和NMOS管阈值电压之差得到基准电压中的负温电压，正温电压由热电压、亚阈值斜率因子以及相关MOS管宽长比决定，由此可得到温度特性较好的基准电压VREF；偏置电流产生电路，利用工作在亚域区的NMOS管产生具有正温特性的偏置电流，且随着温度升高，其正温特性会增强。本发明在传统亚阈值基准的基础上减少了基准电路支路来降低基准电路的功耗以及提升基准电压的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN105141113A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510497850.1
申请日：2015-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种用于IGBT驱动芯片的驱动电路。本发明的电路，主要是在传统的电路基础上，根据IGBT的大阈值电压的特性，栅极寄生电容较大，一般有几千PF甚至上万PF，需要较大电流充电，本发明可以保证IGBT栅极电压快速的充到阈值电压点，但是同时可以保证IGBT在t1到t3时间不会产生较大的dVge/dt和dic/dt，这样可以有效的保证IGBT的可靠性，同时加快IGBT的开启速度；因此实现了根据IGBT的本身的特性可以有效的防止di/dt和dV/dt过大,防止开启的峰值电流，关断的峰值电压过大。
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