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公开(公告)号：CN111338418A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010300236.2
申请日：2020-04-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种变斜率放电驱动电路，设计了由第一耐压NMOS管做开关管的主要放电支路以及由第四耐压PMOS管、第三耐压NMOS管和第三电阻组成的辅助放电支路，在高侧功率管放电阶段，利用不同阶段的放电能力，通过控制两条放电支路实现分段控制高侧功率管的放电斜率。在对高侧功率管放电初期，先开启辅助放电支路放电高侧功率管栅源极电压至米勒平台，然后开启主要放电支路使高侧功率管从米勒平台平稳过渡；随后关闭辅助放电支路，由主要放电支路快速关闭高侧功率管。本发明实现了变斜率分段放电驱动功率管，能够有效避免单一速度快速放电功率管栅极电容带来的EMI干扰；利用电荷泵代替电平位移器得到高压信号，简化了电路，提高了驱动电路的工作性能和安全可靠性。
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公开(公告)号：CN111162665A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010080560.8
申请日：2020-02-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 一种全集成高侧驱动电路，电平位移器将低电源电压电源轨下的栅极控制信号抬升至高电源电压电源轨，随后经过三个带放大功能的反相器得到与栅极控制信号反相的第一控制信号，第一控制信号经过一个带放大功能的第四反相器得到与栅极控制信号同相的第二控制信号，第二控制信号经第二电容抬升电压得第三控制信号，第三控制信号经第一耐压PMOS管得到高侧功率管的栅极驱动信号；第一PMOS管作使能管由第一控制信号控制，第一NMOS管和第二NMOS管交叉耦合控制，为第一电容和第二电容提供高速快捷的充电通路；第一控制信号控制相应的放电支路在需要的时候对栅极驱动信号放电；栅极控制信号跳低时控制对栅极驱动信号放电，栅极控制信号跳高后控制对栅极驱动信号充电。
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公开(公告)号：CN107256062B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201710604992.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种无电阻式基准源，属于电源管理技术领域。包括启动电路，在电源建立时使所述基准源脱离零状态，在启动完成后退出；基准电压产生电路，选择阈值电压负温系数较大的PMOS管和负温系数较小的NMOS管，由PMOS管和NMOS管阈值电压之差得到基准电压中的负温电压，正温电压由热电压、亚阈值斜率因子以及相关MOS管宽长比决定，由此可得到温度特性较好的基准电压VREF；偏置电流产生电路，利用工作在亚域区的NMOS管产生具有正温特性的偏置电流，且随着温度升高，其正温特性会增强。本发明在传统亚阈值基准的基础上减少了基准电路支路来降低基准电路的功耗以及提升基准电压的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN106527572B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201611119479.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F1/46 , G05F3/16 , G05F3/242 , H02J7/0047 , H02J2007/0095
Abstract: 一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路，属于电源管理技术领域。包括启动电路、自偏置VPTAT产生电路、平方律电流产生电路和基准电压输出电路；启动电路在电源建立的时候防止整个电路停留在零状态，启动完成之后退出；自偏置VPTAT产生电路产生正温系数电压VPTAT；平方律电流产生电路通过VPTAT产生一股正比于μT2的电流，即平方律电流；最后将平方律电流引入基准电压输出电路得到最后的基准电压VREF。本发明得到的基准电压VREF在‑40℃～100℃温度范围内能达到近似零温的特性；在传统亚阈值基准基础上改进了载流子迁移率的温度非线性带来的温度特性变差问题；将功耗进一步从μW量级压入nW量级，实现低功耗。
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公开(公告)号：CN107272819A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710674463.X
申请日：2017-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路，属于电源管理技术领域。包括启动电路，负温产生电路和基准电压输出电路，启动电路在电源建立的时候防止整个电路停留在零状态，启动完成之后退出；负温产生电路利用NMOS管阈值电压VTH产生μT2电流，其中μ为迁移率，并将μT2电流引入NMOS管产生带正温补偿的负温度系数电压；负温产生电路输出的带正温补偿的负温度系数电压与基准电压输出电路产生的正温度系数电压进行叠加，得到基准电压VREF。本发明得到的基准电压VREF在-55℃～110℃温度范围内能达到近似零温的特性；实现了μW量级的超低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110445377B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910742208.3
申请日：2019-08-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有零静态功耗的导通时间产生电路，适用于BUCK变换器，包括比较器正端输入端信号产生模块、比较器负端输入端信号产生模块和比较器，比较器负端输入端信号产生模块采用无运放的自适应补偿机制获得与BUCK变换器输出电压成正比的第二比较电压，比较器正端输入端信号产生模块利用电阻‑电容滤波器来获得与BUCK变换器输入电压成正比的第一比较电压，再通过比较器比较第一比较电压和第二比较电压获得控制BUCK变换器中上功率管导通时间的电压信号。本发明具有零静态功耗，既保证了导通时间的精度，又有效地提高了BUCK变换器芯片的性能。
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公开(公告)号：CN109613328B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910030403.3
申请日：2019-01-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R19/165
Abstract: 一种交叉耦合快速过流检测电路，属于电子电路技术领域。第三NMOS管、第四NMOS管与第五NMOS管构成电流镜，用于将偏置电流镜像过来；第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管构成交叉耦合结构，实现对过流状态的快速检测；通过设置使能管第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管对检测状态进行准确的控制；另外通过设置保护电阻和反相器能够实现控制过流检测电路内部电流不会太大和将输出信号整形。本发明通过比较器的交叉耦合结构，增强了比较器的下降沿翻转速度，实现了快速检出功率管由正常工作状态进入过流状态的功能，减小了过流检测的延时，从而提高了过流检测的精度，有助于减小过流状态对功率管的损害，提高电源系统整体的可靠性。
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公开(公告)号：CN109002077B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810938645.8
申请日：2018-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种瞬态增强电路，属于集成电路技术领域。包括第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7和运算放大器，第四电容C4的一端作为瞬态增强电路的输入端，其另一端连接运算放大器的正向输入端并通过第五电阻R5和第七电阻R7的串联结构后接地；第五电阻R5和第七电阻R7的串联点连接第六电阻R6的一端并通过第五电容C5后接地，第六电阻R6的另一端连接工作电压；第四电阻R4的一端连接运算放大器的负向输入端和输出端，其另一端通过第三电容C3后作为瞬态增强电路的输出端。本发明提出的一种瞬态增强电路能够应用于DC‑DC转换器中用于提高DC‑DC转换器的瞬态响应速度。
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公开(公告)号：CN111293862A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010123440.1
申请日：2020-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高可靠自适应死区时间的栅极驱动电路，高端栅极驱动模块中根据高端驱动逻辑控制信号和低端功率管栅极驱动信号产生高端逻辑信号，并引入低端防穿通反馈信号，使得高端栅极驱动模块仅当高端驱动逻辑控制信号为高、低端功率管栅极驱动信号为低和低端防穿通反馈信号为低时开启高端功率管；低端栅极驱动模块中根据低端驱动逻辑控制信号、死区检测信号、高端功率管和低端功率管连接处信号产生低端逻辑信号，同时引入低端防穿通反馈信号，仅当低端驱动逻辑控制信号为高、死区检测信号为低、高端功率管和低端功率管的连接处信号为低、高端防穿通反馈信号为低时开启低端功率管。本发明能够自适应死区时间，且避免了高端功率管和低端功率管同时开启。
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公开(公告)号：CN108055024B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810093195.7
申请日：2018-01-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/00
Abstract: 一种紧凑的延时电路，属于集成电路技术领域。包括充放电电容、复位模块和充放电模块，充放电电容一端连接延时电路输出端，另一端接地；复位模块包括一个MOS管，复位模块中MOS管的栅极连接复位信号，漏极连接延时电路输出端，源极根据对地使能或对电源使能连接地或电源电压；充放电模块包括充电模块和/或放电模块，充电模块包括第一电流源和由充电信号控制的第一开关模块，第一电流源的负极连接电源电压，其正极通过第一开关模块后连接延时电路输出端；放电模块包括第二电流源和由放电信号控制的第二开关模块，第二电流源的负极通过第二开关模块后连接延时电路输出端，其正极接地。本发明具有延迟时间大、鲁棒性好以及电路所占芯片面积小的优点。
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