公开(公告)号：CN110460308B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910755244.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  仪梦帅 ,  杨耀杰 ,  洪至超 ,  胡任任 ,  杨尚翰 ,  蔡景宜

IPC: H03B5/12 ,  H03L7/099

Abstract: 一种宽范围的环形压控振荡器电路，包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块，环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流，能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度；电压转电流模块用于产生电流控制信号控制振荡信号的振荡频率，采用轨到轨运放克服了MOS管对压控振荡器控制电压范围的限制，使电路在低压下能正常工作的同时仍保留了大的输入电压范围，增大了压控振荡器的电压调节范围和输出频率范围；稳定共模电压模块用于将环形振荡器模块的共模电压稳定为参考电压；输出整形模块用于将振荡信号的振幅扩展至轨对轨后输出，扩展了输出信号的摆幅，摆脱了尾电流源对输出信号摆幅的限制。

公开(公告)号：CN110362144B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201910756733.0

申请日：2019-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  洪至超 ,  胡任任 ,  蔡景宜 ,  杨耀杰 ,  仪梦帅

IPC: G05F1/567

Abstract: 基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路，包括预稳压模块、预稳压启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，带隙基准核心模块用于产生基准电压，共源极接法的第十五PMOS管构成βhelp结构，避免了CMOS工艺中β值过小导致基极电流引入过大误差的问题；同时通过第九电阻R9将基准电压的高阶曲率补偿结构嵌入βhelp结构中，显著的减低了基准输出电压的温度漂移系数；带隙基准核心启动模块用于使带隙基准核心模块脱离简并点；预稳压模块用于产生为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电的局部电压，通过自适应驱动结构既保证了预稳压结构的驱动能力又有效的提高了基准输出电压的电源抑制比；预稳压启动模块用于使预稳压模块脱离简并点。

公开(公告)号：CN110377091A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910756678.5

申请日：2019-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  蔡景宜 ,  洪至超 ,  孙河山 ,  杨耀杰 ,  仪梦帅

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种高阶补偿带隙基准源，属于集成电路设计领域。本发明的带隙基准模块中，利用第十三NMOS管、第一三极管和第二三极管构成β-help结构，采用源极跟随器接法的第十三NMOS管为三极管的基极提供电流，不从第一三极管和第二三极管抽取基极电流，保证在β值较小的工艺下第一三极管和第二三极管的集电极电流相等，从而使得带隙基准源不受三极管正向电流放大倍数β小带来的影响；运算放大器采用折叠共源共栅结构，提供高增益；偏置模块为运算放大器提供合适的偏置电压；另外利用三极管的电流放大系数β的温度特性，引入了指数型曲率温度补偿，提高了带隙基准电压源的精度，使得本发明提出的带隙基准源温漂系数仅为1ppm/℃。

公开(公告)号：CN110362144A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910756733.0

申请日：2019-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  洪至超 ,  胡任任 ,  蔡景宜 ,  杨耀杰 ,  仪梦帅

IPC: G05F1/567

Abstract: 基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路，包括预稳压模块、预稳压启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，带隙基准核心模块用于产生基准电压，共源极接法的第十五PMOS管构成βhelp结构，避免了CMOS工艺中β值过小导致基极电流引入过大误差的问题；同时通过第九电阻R9将基准电压的高阶曲率补偿结构嵌入βhelp结构中，显著的减低了基准输出电压的温度漂移系数；带隙基准核心启动模块用于使带隙基准核心模块脱离简并点；预稳压模块用于产生为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电的局部电压，通过自适应驱动结构既保证了预稳压结构的驱动能力又有效的提高了基准输出电压的电源抑制比；预稳压启动模块用于使预稳压模块脱离简并点。