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公开(公告)号：CN104485890A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410768036.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02S50/15
CPC classification number: H02S50/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于太阳能电池效率测试的固定装置，包括：底座支撑台1，该凹槽2从第一端面12向底座支撑台1内凹入，还设有至少一个运动轨道3；至少一个盖体5、6支撑在该至少一个运动轨道3上并且能够在其上运动；其中该至少一个盖体5、6能够在至少部分覆盖凹槽2的闭合位置和开放该凹槽2的打开位置之间运动。本发明的实施例中提供的用于太阳能电池的效率测试的固定装置结构简单，操作方便，不仅可以为测试时提供暗室环境，同时可以调节不同的受光区域，方便、精确得出受光面积，使得太阳能电池的效率测试更加的方便、精确。
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公开(公告)号：CN104237320A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410275510.X
申请日：2014-06-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种氢气传感器，包括：衬底层；至少两行金属氧化物纳米管，相邻两行金属氧化物纳米管之间相互错位排列，使得三个相邻金属氧化物纳米管之间形成管间空间；金属纳米点，形成在管间空间的顶端；电极层，形成在顶部并与金属纳米点的至少一部分电连接。本发明的实施例的氢气传感器中，采用金属纳米点/金属氧化物纳米管复合结构用作氢气传感器的敏感层，既充分利用了金属氧化物纳米管的氢敏特性及其自清洁功能，又利用了“准隔离”的金属纳米点的氢敏特性，使得这种复合结构氢气传感器能获得更好的氢敏特性。
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公开(公告)号：CN104157737A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410404489.9
申请日：2014-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0288 , C23C14/48
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/26506 , C23C14/48 , H01L21/268 , H01L31/0288 , H01L31/1804
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂，从而拓宽能带吸收，增加吸收率，然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样，不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收，而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时，表面平整的硅材料利于后续的半导体加工，且工艺重复性和均匀性较好。
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公开(公告)号：CN103966624A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410178770.5
申请日：2014-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制备电化学电解电极的方法，包括：将铝金属箔在第一温度下浸入强酸溶液中浸泡第一时间；从强酸溶液中取出铝金属箔，用清洗剂清洗，并干燥；将干燥后的铝金属箔浸入去离子水中，在第二温度下水浴第二时间；冷却并干燥水浴后的铝金属箔。根据本发明实施例的方法，使用浓硫酸或浓硝酸钝化的铝金属箔作为阴极，一方面将使电解成本大大减少，同时也不降低电解用的阴极功能。而且另外，钝化后的铝阴极在实验中比传统的Pt阴极更不易附着污渍。
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公开(公告)号：CN103560184A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310438745.1
申请日：2013-09-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造发光二极管的PN结方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成硅掺杂氮化物层；在硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层，其中镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近硅掺杂氮化物层的部分到远离硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加。本发明实施例的方法中，镁掺杂金属氮化物层中金属组分的含量从零开始线性增大，使得镁掺杂在镁掺杂金属氮化物层中激活效率得到很大提高，有效增加了空穴的浓度，从而提高了LED的发光强度及发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413865A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310360945.X
申请日：2013-08-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造黑硅超疏水材料的方法，包括：用金属辅助化学离子刻蚀法或者飞秒激光辐照法在硅衬底材料上形成黑硅活性区增强吸收层；在黑硅活性区增强吸收层的表面生长形成氧化硅层；在氧化硅层上形成二氯二甲基硅烷层。按照本发明实施例所提供的黑硅超疏水材料比传统晶体硅在近红外波段表现出更高的光吸收率；同时，具有疏水特性，可以自动清洁由于时间积累带来的不可避免的灰尘，也可有效防止积雪，保证高质量操作，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN102800571A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210326578.7
申请日：2012-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/223 , H01L29/205
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造半导体薄膜的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成铝镓氮层，并使铝镓氮层中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化。本发明的实施例的半导体薄膜中，通过氮化镓和氮化铝的自极化效应及其极化强度的差异，可以构建出内部极化电场，该极化电场还可以将衬底内的载流子吸入电场，从而实现超高载流子浓度的掺杂。此方法操作可控，简单易行，可重复性好，可以实现超高载流子浓度的掺杂。并且其载流子浓度不受温度影响。
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公开(公告)号：CN102709052A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210205760.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造纳米电容器的方法，包括：在基片上形成至少一层金属纳米粒子层；在该至少一层金属纳米粒子层中的金属纳米粒子表面形成介电材料层；在介电材料层上沉积聚合物复合材料以形成聚合物复合材料层。本发明实施例中，在基片上形成金属纳米粒子层，然后在基片上的金属纳米粒子的表面形成介电材料层，然后再在该介电材料层的表面形成聚合物复合材料层，这样形成了金属纳米粒子-介电材料层-聚合物复合材料层结构的纳米电容器。这样形成的金属纳米粒子层的金属纳米粒子密度高，比表面积大，因此形成的纳米电容器能量密度高，而且可以实现大面积纳米电容器阵列。
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公开(公告)号：CN119212522A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411249308.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 电子科技大学 , 中航贵州飞机有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种双层复合材料的制备方法及其应用，所述双层复合材料的制备方法包含将甲脒氢碘酸盐、甲基碘化铵、碘化铅、碘化亚锡和添加剂溶解于二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液中制得钙钛矿前驱体溶液；采用旋涂的方式将钙钛矿前驱体溶液涂布在衬底上；在旋涂过程中使用反溶剂对前驱体溶液进行处理得到中间相薄膜；将中间相薄膜进行退火处理，得到充分结晶的双层钙钛矿薄膜。使用该方法，能解决现有钙钛矿电池对近红外光的吸收较差，导致光电转化效率降低，对光的利用率不高，导致器件温度升高和应用领域受限；现有双层钙钛矿薄膜都是分层制备，增加了制备工序，会降低电池的生产效率等问题。
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公开(公告)号：CN117346649A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311087661.8
申请日：2023-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性弯曲应变‑压力双模态传感器及其制备方法，双模态传感器包括柔性衬底，弯曲应变传感层、压力传感模块、金属引线。弯曲应变传感层检测弯曲形变信号，喷涂在柔性衬底上表面。压力传感模块分列排布在柔性衬底上检测压力信号，与柔性衬底下表面贴合。金属引线作为电极导线引出电信号。采用该双模态传感器作为检测器件，可以同时兼顾弯曲形变和压力的双物理量检测，具有集成度高，制备工艺简单，测试方法简单，检测精度高、信号干扰小等优点。
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