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公开(公告)号：CN118590931A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410792921.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04W28/02 , H04L47/6275 , H04L47/6295 , G06N3/0442
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及一种动态调整SPMA协议退避参数的方法。本发明通过结合综合优先级评分(CPS)和当前网络状态信息，动态优化退避策略。首先计算每个待发送数据包的CPS，并依据这些评分对数据包进行排序以确定其在传输队列中的优先级，然后根据网络状况动态调整退避时间等参数以提升网络性能。本发明的有益效果为：通过计算综合优先级评分(CPS)和调整权重的方法，准确评估并对待发送各数据包进行排序，从而明确指导退避时间的选择，在实时网络状态下动态调整退避参数，确保高优先级数据的传输效率，并进一步提高网络的整体吞吐量和降低延迟。
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公开(公告)号：CN118540806A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410639173.1
申请日：2024-05-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04W74/08 , H04W74/0833 , H04B10/90
Abstract: 本发明属于太赫兹通信组网技术领域，具体涉及一种低频辅助的太赫兹自组织网络时分多址信道接入方法。本发明针对窄波束全盲邻居发现困难的问题，利用低频辅助完成初始接入，然后利用测距技术实现节点的协同定位。然后利用低频段获得的邻居节点的先验位置信息，在太赫兹频段快速完成邻居发现建立链路，并根据各链路的业务负载强度预约时隙资源。低频段仅用于完成全网同步和节点定位，利用定位信息辅助太赫兹频段完成邻居发现，网络中其余的控制信息和业务数据信息均通过太赫兹波束进行传输。使用高低频协作的方式利用低频段全向通信实现广播的特点，和太赫兹窄波束通信抗干扰能力强和高传输速率的能力的特点，弥补了单一体制的不同。
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公开(公告)号：CN105897585B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610221659.9
申请日：2016-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L12/727 , H04W40/22 , H04W84/18
Abstract: 本发明公开了一种自组织网络基于时延约束的Q学习分组传输方法，所述自组织网络基于时延约束的Q学习分组传输方法旨在解决当无线自组织网络中的节点面临多个通往目的节点的下一跳且端到端时延参数时变情况下，满足时延约束指标的中继路径的自主学习和中继节点的动态选择问题。网络节点自主学习通往目的节点的不同路径的端到端时延参数；网络节点在面临多个通往目的节点且满足时延约束指标的下一跳时，将不同下一跳节点的端到端传输时延归一化处理后作为每一次传输时的选择概率，动态选择下一跳节点进行传输，从而降低网络的端到端传输时延。本发明采用的将时延约束与Q学习相结合的分组传输方法提升了无线自组织网络的传输性能。
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公开(公告)号：CN105704808B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610196860.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多跳自组织网络的分布式时间同步方法，涉及通信方法技术领域。所述方法将所述多跳自组织网络中的每个节点分为空闲态、中心态和接接收态三种状态，处于空闲态的节点没有参与时间同步过程，处于中心态的节点主动发起同步请求，处于接收态的节点只参与对应中心态节点的同步，而忽略后续的其它同步请求，直到此次同步交互结束；邻域内不同的中心态节点向其一跳邻域内时钟最快的节点进行一次或多次时间同步，直到所述网络中的任意两个节点之间的时钟偏差最大值满足精度要求为止。所述方法适用于多跳自组织网络，具有计算量小、精度高、对网络规模不敏感的特点。
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公开(公告)号：CN102163960B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010557667.3
申请日：2010-11-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层片式滤波器及其制备方法，所述滤波器由两个平板电容、三个片式空心电感和两个磁芯电感组成，三个片式空心电感依次排列在所述滤波器的上层，两个磁芯电感分别位于所述滤波器的下层的左右两端，两个平板电容位于所述滤波器的下层的中间，其中片式空心电感由银浆料印刷形成，磁芯电感由连接两层银导体的通孔中的铁氧体材料构成，平板电容则由不同层间的大面积银导体耦合形成。所述的制备方法包括预处理、打孔、金属填孔、铁氧体材料注入、印刷、叠片、等静压、热切、烧结等步骤。通过在陶瓷生瓷片中打孔注入铁氧体材料得到多层片式滤波器，有效解决了叠层片式滤波器中不同材料混烧后出现的分层断裂等问题，提高了成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163960A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010557667.3
申请日：2010-11-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层片式滤波器及其制备方法，所述滤波器由两个平板电容、三个片式空心电感和两个磁芯电感组成，三个片式空心电感依次排列在所述滤波器的上层，两个磁芯电感分别位于所述滤波器的下层的左右两端，两个平板电容位于所述滤波器的下层的中间，其中片式空心电感由银浆料印刷形成，磁芯电感由连接两层银导体的通孔中的铁氧体材料构成，平板电容则由不同层间的大面积银导体耦合形成。所述的制备方法包括预处理、打孔、金属填孔、铁氧体材料注入、印刷、叠片、等静压、热切、烧结等步骤。通过在陶瓷生瓷片中打孔注入铁氧体材料得到多层片式滤波器，有效解决了叠层片式滤波器中不同材料混烧后出现的分层断裂等问题，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101367649B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810046263.0
申请日：2008-10-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/453 , H01C7/112 , H01C17/00 , H01C17/06 , H01C17/30
Abstract: 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法，属于电子材料技术领域。所述氧化锌压敏电阻介质材料，其组分包括85％～95％的ZnO、2％～6％的Bi2O3、1％～5％的TiO2、1％～3.5％的Sb2O3、1％～4％的MnCO3、1.2％～5％的Co2O3、0.2％～1％的Cr2O3、0.1％～1％的ZrO2、0.2％～1％的Ni2O3和1.2％～3％的SiO2。所述片式氧化锌电阻器制备方法包括按所述氧化锌电阻介质材料配方配料、混料、磨料、流延浆料配制、流延、内电极印刷、叠片、烘巴、温等静压、切割、排胶、烧结和端电极制作等步骤。本发明所述氧化锌压敏电阻介质材料适合于制作片式压敏电阻器；所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高和压敏特性稳定的特点，且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。
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公开(公告)号：CN101404485A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810046266.4
申请日：2008-10-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子元器件技术领域，涉及叠层片式滤波器及其制备方法。所述滤波器在同一芯片中引入陶瓷和铁氧体，同时实现大电感和大电容，其中电感由空心电感(“磁芯”为陶瓷材料)和磁芯电感(磁芯为铁氧体材料)组成，空心电感具有感值小、品质因数大、自谐振频率高等特点，可以很好的展宽滤波器工作频段；磁芯电感具有感值大、自谐振频率低等特点，可以很好的减小低截止频率滤波器的带内插损，改善滤波器传输信号的效果。所述叠层片式滤波器的制备方法包括配料、流延、打孔、填孔、导体印刷、叠片、等静压和排胶烧结等步骤。所述滤波器具有尺寸小、矩形度大、带外抑制大、工作频率宽的性能。所述制备方法可操控性强，与现有片式元器件的工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN101404205A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810046264.5
申请日：2008-10-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种单内电极片式电容器，属于电子元器件技术领域，涉及电容器及其制造方法，特别涉及小容量片式电容器及其制造方法。包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形成端电极；所述内电极为单内电极，只与其中一个端电极相连。所述单内电极为采用印刷工艺印制在所述陶瓷层体表面的内电极。所述陶瓷层体和内电极的层叠数量以及内电极的面积可根据所需电容器容量大小而调整。本发明实现容量较无内电极的电容器大，且较传统叉指电容的多层片式并联结构的片式电容器的小，其制造方法与常规片式电容器的制造方法一致。
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公开(公告)号：CN101367649A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810046263.0
申请日：2008-10-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/453 , H01C7/112 , H01C17/00 , H01C17/06 , H01C17/30
Abstract: 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法，属于电子材料技术领域。所述氧化锌压敏电阻介质材料，其组分包括85％～95％的ZnO、2％～6％的Bi2O3、1％～5％的TiO2、1％～3.5％的Sb2O3、1％～4％的MnCO3、1.2％～5％的Co2O3、0.2％～1％的Cr2O3、0.1％～1％的ZrO2、0.2％～1％的Ni2O3和1.2％～3％的SiO2。所述片式氧化锌电阻器制备方法包括按所述氧化锌电阻介质材料配方配料、混料、磨料、流延浆料配制、流延、内电极印刷、叠片、烘巴、温等静压、切割、排胶、烧结和端电极制作等步骤。本发明所述氧化锌压敏电阻介质材料适合于制作片式压敏电阻器；所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高和压敏特性稳定的特点，且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。
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