公开(公告)号：CN105609548A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510996709.6

申请日：2015-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  方冬 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L29/66234

Abstract: 本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底，位于N型掺杂衬底之中的扩散P型阱区，位于扩散P型阱区之中的第一P型重掺杂区和N型重掺杂区，位于N型掺杂衬底和扩散P型阱区上表面的氧化层，覆盖整个元胞上表面的金属阴极，位于N型掺杂衬底下表面的第二P型重掺杂区，位于第二P型重掺杂区下表面的金属阳极。本发明半导体器件在衬底背面注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料，一方面，P型重掺杂背面注入会向N型衬底注入空穴，使得半导体器件为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大器件的电流密度，另一方面可提高器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN105430810A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510999630.9

申请日：2015-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  李成州 ,  方冬 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0806

Abstract: 一种LED照明驱动系统，属于半导体技术领域。包括变压器和驱动芯片，变压器包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一交流输出端和第二交流输出端；驱动芯片包括第一恒流器件、第二恒流器件、第三恒流器件、第四恒流器件；第一恒流器件的阳极与第四恒流器件的阴极相连接形成第一节点，第一恒流器件的阴极与第二恒流器件的阴极相连接形成第二节点，第二恒流器件的阳极与第三恒流器件的阴极相连接形成第三节点，第三恒流器件的阳极与第四恒流器件的阳极相连接形成第四节点；所述第一交流输出端与第一节点相连接，所述第二交流输出端与第三节点相连接。本发明简化了传统LED照明驱动系统的结构，降低了驱动系统的功耗并使系统可靠性得到提升。

公开(公告)号：CN105206682A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510571690.0

申请日：2015-09-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张康 ,  代刚 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，添加了电阻作为负反馈结构。本发明的有益效果为，引入的电阻在器件工作时具有一定压降，使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流以及有效工作电压范围。本发明尤其适用于横向恒流二极管。

公开(公告)号：CN104638023A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510081048.4

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张康 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提出了一种垂直型恒流二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。本发明垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成，所述元胞在第一N型重掺杂区和N型轻掺杂外延层之间、嵌入第一P型扩散阱区上表面形成耗尽型沟道区，本发明垂直型恒流二极管采用耗尽型沟道区导电，使得耗尽型沟道区较JFET区先夹断，夹断电压低至5V以下；且当耗尽型沟道夹断后，电流大小不随电压的增大而增大，动态阻抗高，恒流能力好。

公开(公告)号：CN102779821B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210268621.9

申请日：2012-07-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  温恒娟 ,  向凡 ,  何逸涛 ,  周锌 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  G01R19/00

Abstract: 一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件的沟道区宽度之比实现电流采样；主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件共用漏极结构以节省芯片面积；短接主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件各自的P+接触区和N+接触区，并且将电流检测LDMOS器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流检测LDOMS器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测LDMOS器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应；另外将采样电阻同时集成可避免外接采样电阻带来的噪声影响，使得电流检测LDMOS器件对主功率LDMOS器件电流进行准确采样。

公开(公告)号：CN102244092A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110166312.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  温恒娟 ,  胡曦 ,  王猛 ,  庄翔 ,  周锌 ,  何逸涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的附加电荷，使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低，同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值，而且增大了曲率终端的曲率半径，避免电力线的过于集中，提高器件的击穿电压。其中N型漂移区表面还可与表面RESURF结构或超结结构相结合。本发明可以减小器件曲率终端的宽度，节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。

公开(公告)号：CN105392240A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510995850.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  方冬 ,  李成州 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0809 ,  H05B33/0845

Abstract: 一种LED照明驱动系统，包括变压器和驱动芯片，变压器包括两个交流输入端和两个输出端；驱动芯片包括第一器件、第二器件、第三器件、第四器件，第一器件的阳极与第四器件的阴极连接形成第一节点，第一器件的阴极与第二器件的阴极相连接形成第二节点，第二器件的阳极与第三器件的阴极相连接形成第三节点，第三器件的阳极与第四器件的阳极相连接形成第四节点；变压器的第一交流输出端与第一节点相连接，变压器的第二交流输出端与第三节点相连接。本发明驱动系统将整流功能和恒流功能结合在一起，使得LED的驱动更简单可靠，可实现驱动系统的小型化；利用变压器将输入交流电转换到合适的电压，使系统功耗进一步降低，提高驱动系统的效率。

公开(公告)号：CN105161538A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510478465.2

申请日：2015-08-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  王裕如 ,  代刚 ,  周锌 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区，在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区，本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移区叠加构成漂移区的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻的最近导电路径，可以降低器件的导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。

公开(公告)号：CN105140269A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510473666.3

申请日：2015-08-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  王裕如 ,  张晓菲 ,  代刚 ,  周锌 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退火推结后，N型漂移区会向Y方向扩散，将P型埋层超出N型漂移区2一些距离，使得扩散出去的N型漂移区有P型杂质耗尽，这样，在直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，电荷不平衡的问题得以改善，从而得到更优化的击穿电压。本发明的有益效果为，改善直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN105070754A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510477666.0

申请日：2015-08-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  代刚 ,  王裕如 ,  周锌 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用离子注入工艺在第一导电类型半导体衬底上注入第二导电类型半导体第一漂移区；采用外延工艺依次形成其他第二导电类型半导体子漂移区；采用离子注入在第二导电类型半导体子漂移区内形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层，本发明是将传统的漂移区制作为多层漂移区叠加的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻最近导电路径，可以降低导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压。