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公开(公告)号：CN102113095B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980130088.6
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
IPC: H01L21/304 , H01L31/042
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种自熔体形成板的方法。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN102187474A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141470.7
申请日：2009-10-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042 , H01L21/20
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/403 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S588/90 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
Abstract: 冷却一材料的熔化物且在此熔化物中形成此材料的板材。输送此板材，将此板材切割成至少一片段，再于冷却腔室中冷却此片段。此材料可为硅、硅及锗、镓、或氮化镓。冷却是为了避免对此片段造成应力或应变。在一实例中，此冷却腔室具有气体冷却。
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公开(公告)号：CN102119242A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131176.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C30B11/003 , C01B33/037 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/406 , C30B29/60
Abstract: 揭示一种纯化熔体的装置。于腔室中在第一方向冷凝熔体的第一部分。在第一方向熔化第一部分的小部分。熔体的第二部分保持冷凝。从腔室流出熔体，以及从腔室移除第二部分。冷凝以在溶体及第二部分中浓缩溶质。第二部分可以是高溶质浓度的块体。此系统可以并入板形成装置及其他组件，例如泵、过滤器或微粒捕集阱。
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公开(公告)号：CN102113095A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130088.6
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
IPC: H01L21/304 , H01L31/042
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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