公开(公告)号：CN101536149A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780034015.8

申请日：2007-07-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  史帝文·R·沃特 ,  理查·S·默卡 ,  朱利安·布雷克 ,  保罗·J·墨菲 ,  瑞尔·B·利伯特

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。