光刻用薄膜、带薄膜的光掩模及曝光处理方法

    公开(公告)号:CN103718105A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201280036649.8

    申请日:2012-07-27

    Inventor: 武部洋子

    CPC classification number: G03F1/62 G03F1/142

    Abstract: 本发明提供具有对于波长250nm以下、特别是200nm以下的光的耐光性良好的防尘薄膜的光刻用薄膜、使用该薄膜的带薄膜的光掩模及曝光处理方法。光刻用薄膜是具有包含由含氟聚合物(A)形成的膜和由含氟聚合物(B)形成的膜的多层薄膜的光刻用薄膜,其中,含氟聚合物(A)含有将含1个醚性氧原子的全氟二烯环化聚合而得的重复单元作为主要成分,含氟聚合物(B)具有环结构内含互不相邻的2个或3个醚性氧原子的含氟脂肪族环结构,其特征在于,所述由含氟聚合物(B)形成的膜的总膜厚在所述由含氟聚合物(A)形成的膜的总膜厚的40%以下。

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