公开(公告)号：CN108988826A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810538141.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 张国强 ,  矢山浩辅

IPC: H03K3/0231

Abstract: 本申请涉及半导体器件和半导体器件的控制方法。根据一个实施例，半导体器件1包括：参考电压生成电路11，被配置为生成能够调节一阶温度特性的参考电压Va和Vb；以及振荡电路12，被配置为使用参考电压Va和Vb输出振荡信号CLK，其中振荡电路12包括由参考电压Va驱动并根据反馈信号fCLK的频率fo输出电流Ie的频率/电流转换电路121；控制电压生成电路122，被配置为根据基于电流Ie的电压Ve和参考电压Vb之间的电势差生成控制电压Vctrl；电压控制振荡电路123，被配置成输出具有根据控制电压Vctrl的频率的振荡信号CLK；以及分频电路124，被配置为对振荡信号CLK的频率进行分频并输出所得到的信号作为反馈信号fCLK。

公开(公告)号：CN208589437U

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201820986413.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥本千惠美 ,  矢山浩辅 ,  常野克己 ,  松崎智一

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/02 ,  H01L27/08 ,  H03K3/011

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调，期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层，具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案，所述第1导电层(51)形成于第1布线层，所述第2导电层(52)形成于第2布线层，所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利