公开(公告)号：CN102800674A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210167100.4

申请日：2012-05-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坪井信生

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/50 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/903 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其中，在SRAM存储器单元中，恰当地形成布线并且适当地制作电耦合。在该半导体器件的SRAM存储器单元中，待电耦合至作为字线的第三布线的过孔直接耦合至电耦合至存取晶体管的栅极布线部分的接触插塞。此外，待电耦合至作为字线的第三布线的另一个过孔直接耦合至电耦合至另一存取晶体管的栅极布线部分的接触插塞。