-
公开(公告)号：CN102356122B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080012283.1
申请日：2010-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08J7/123 , C08J7/047 , C08J2367/03 , C08J2483/00 , C08J2483/16 , Y10T428/24942 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明是成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3；上述成形体的制造方法，其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序；包含上述成形体的电子设备用构件；具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法，包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。
-
公开(公告)号：CN102387921A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080015944.6
申请日：2010-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C23C14/48 , B05D1/62 , B05D3/148 , B05D2252/02 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将烃化合物的离子注入到含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。本发明也公开了：所述成形物的制备方法，所述方法包括将烃化合物的离子注入成形体的含聚有机硅氧烷化合物的层的表面部分的步骤，所述成形体在表面具有含聚有机硅氧烷化合物的层；一种由所述成形物组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、透明度、弯曲性质、抗静电性质和表面平滑性的成形体；所述成形物的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件和提供有所述电子装置元件的电子装置。
-
公开(公告)号：CN103642060B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310466359.3
申请日：2010-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J7/12
CPC classification number: C08J7/123 , C08J7/047 , C08J2367/03 , C08J2483/00 , C08J2483/16 , Y10T428/24942 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明涉及成形体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备。本发明是成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3；上述成形体的制造方法，其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序；包含上述成形体的电子设备用构件；具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法，包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。
-
公开(公告)号：CN102439077B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080022420.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J7/00 , B32B27/16 , G02F1/1333 , H01L31/049 , H05B33/04 , H05B33/14
CPC classification number: C23C14/48 , B32B27/06 , B32B2307/7244 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2383/05 , G02F1/133305 , G02F2201/501 , G02F2201/503 , H01L31/049 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及具有由含O原子、C原子和Si原子的材料构成的阻气层的成型体，上述阻气层具有自表面起朝着深度方向层中的O原子的存在比例逐渐减少、C原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域包含相对于O原子、C原子和Si原子的总存在量，O原子的存在比例为20-55%、C原子的存在比例为25-70%、Si原子的存在比例为5-20%的部分区域，和O原子的存在比例为1-15%、C原子的存在比例为72-87%、Si原子的存在比例为7-18%的部分区域；本发明还涉及具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层的成型体；其制造方法；包括该成型体的电子设备用构件；以及具备该电子设备用构件的电子设备。根据本发明，提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性优异的成型体，其制造方法，电子设备用构件和电子设备。
-
公开(公告)号：CN103642060A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310466359.3
申请日：2010-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J7/12
CPC classification number: C08J7/123 , C08J7/047 , C08J2367/03 , C08J2483/00 , C08J2483/16 , Y10T428/24942 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明涉及成形体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备。本发明是成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3；上述成形体的制造方法，其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序；包含上述成形体的电子设备用构件；具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法，包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102356122A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012283.1
申请日：2010-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08J7/123 , C08J7/047 , C08J2367/03 , C08J2483/00 , C08J2483/16 , Y10T428/24942 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明是成形体，其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为60～75%，氮原子的存在比例为0～10%，硅原子的存在比例为25～35%，且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4～4.0g/cm3；上述成形体的制造方法，其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序；包含上述成形体的电子设备用构件；具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法，包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。
-
公开(公告)号：CN102067731A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980118700.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , C09K11/02 , H01L51/0024 , H05B33/10 , H05B33/20
Abstract: 本发明提供了一种能够在高的生产率的基础上以低成本有效地给予场致发光片的发光性组合物、使用该组合物而形成的可以大量生产的场致发光片及其制备方法。通过将场致发光体混炼分散在玻璃化温度为-70～5℃的树脂中而形成的具有粘着性的发光性组合物；通过至少依次层压第一基材、第一电极、场致发光层、第二电极和第二基材而成，第一基材和第一电极是透明的，上述场致发光层是通过使用所述的发光性组合物而形成的场致发光片；以及通过下述(1)或(2)的工序来使第一层压体的场致发光层侧与第二层压体的第二电极侧、或者第一层压体的第一电极侧与第二层压体的场致发光层侧分别接合的所述场致发光片的制备方法。(1)通过在第一基材上至少依次形成第一电极和场致发光层来制作第一层压体，另外，通过在第二基材上至少形成第二电极来制作第二层压体的工序。(2)通过在第一基材上至少形成第一电极来制作第一层压体，通过在第二基材上至少依次形成第二电极和场致发光层来制作第二层压体的工序。
-
公开(公告)号：CN101188885A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710159660.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L51/52 , Y10T83/0481 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及发光片及其制造方法。本发明涉及一种通过允许能够引起发光的片经受穿孔处理而获得的发光片；以及制造该发光片的方法，其中发光片经受包括钻孔、加热的针、冲孔、平模切割、旋转模切割、激光处理等的穿孔处理。根据本发明，提供以更简便的方式获得的低功耗发光片。
-
公开(公告)号：CN102388160B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080015641.4
申请日：2010-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48 , C08G77/04 , C08J7/06 , C08J2383/04 , C23C14/20 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将硅化合物的离子注入聚合物层得到的离子注入层。本发明也公开了：所述成形体的制备方法，所述方法包括将硅化合物的离子注入成形体的聚合物层表面部分，所述成形体在其表面包括聚合物层；一种由所述成形体组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、弯曲抗性和表面平滑性的成形体；所述成形体的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件；和提供有所述电子装置元件的电子装置。
-
公开(公告)号：CN102387921B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201080015944.6
申请日：2010-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C23C14/48 , B05D1/62 , B05D3/148 , B05D2252/02 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将烃化合物的离子注入到含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。本发明也公开了：所述成形物的制备方法，所述方法包括将烃化合物的离子注入成形体的含聚有机硅氧烷化合物的层的表面部分的步骤，所述成形体在表面具有含聚有机硅氧烷化合物的层；一种由所述成形物组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、透明度、弯曲性质、抗静电性质和表面平滑性的成形体；所述成形物的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件和提供有所述电子装置元件的电子装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.021 seconds)
