公开(公告)号：CN109075047B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201780025593.9

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成，该支撑片在周缘部附近的区域具有遮光层。

公开(公告)号：CN108701640B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201780011923.9

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 稻男洋一 ,  小桥力也

IPC: H01L21/683 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  C08F2/44 ,  C08J5/18 ,  C09J7/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、并具有高弹性模量的保护层的、能量射线固化性的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜13为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜13的拉伸弹性模量为30MPa以上。

公开(公告)号：CN108604541B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201780011114.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一 ,  山本大辅

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。

公开(公告)号：CN113969114A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111233131.0

申请日：2018-10-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/10 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B27/30 ,  B32B33/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

公开(公告)号：CN112625609A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011201640.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  佐伯尚哉 ,  米山裕之

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B27/26 ,  C09J11/04 ,  C09J133/12 ,  C09J163/02 ,  C09J163/00 ,  C09J11/06 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。

公开(公告)号：CN106489189B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201580032859.3

申请日：2015-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  米山裕之 ,  山本大辅 ,  小桥力也 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

公开(公告)号：CN109075047A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780025593.9

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成，该支撑片在周缘部附近的区域具有遮光层。

公开(公告)号：CN109005667A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201780020935.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  稻男洋一 ,  小桥力也

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  C08J3/24 ,  C08J5/18 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  C08J3/24 ,  C08J5/18 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性，在照射能量射线而制成保护膜时，保护膜的拉伸弹性模量为1×108Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。

公开(公告)号：CN108701640A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011923.9

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 稻男洋一 ,  小桥力也

IPC: H01L21/683 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  C08F2/44 ,  C08J5/18 ,  C09J7/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/16 ,  C08F2/44 ,  C08J5/18 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、并具有高弹性模量的保护层的、能量射线固化性的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜13为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜13的拉伸弹性模量为30MPa以上。

公开(公告)号：CN108350108A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062585.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 稻男洋一 ,  小桥力也 ,  古野健太

IPC: C08F2/46 ,  C09J4/00 ,  C09J7/29 ,  C09J7/50 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

CPC classification number: C08F2/46 ,  C09J4/00 ,  C09J7/00 ,  C09J7/20 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。