粘合片的膨胀方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117795027A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202280054912.X

    申请日:2022-08-10

    Abstract: 一种粘合片的膨胀方法,所述粘合片具有基材和粘合剂层,且该粘合片所包含的至少1层为含有热膨胀性粒子的热膨胀性层,该方法是以上述粘合剂层作为粘贴面将上述粘合片粘贴于作为被粘附物(W)的一面的面(Wα)后使其部分膨胀的方法,该方法包括工序1及2。

    粘合片及半导体装置的制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116171220A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202180062506.3

    申请日:2021-09-10

    Abstract: 本发明提供粘合片及使用该粘合片的半导体装置的制造方法,所述粘合片具有包含粘合剂层(X1)和基材层(Y)的层叠结构,所述粘合剂层(X1)及所述基材层(Y)中的至少任一层是含有热膨胀性粒子的热膨胀性层,所述粘合剂层(X1)的面(SX1)的算术平均波纹度(Wa)为0.090μm以下,所述面(SX1)是与所述基材层(Y)相对的面的相反侧的一面。

    双面粘合片及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115397938A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202180024892.7

    申请日:2021-03-29

    Inventor: 垣内康彦

    Abstract: 本发明涉及双面粘合片及使用该双面粘合片的半导体装置的制造方法,所述双面粘合片依次具有粘合剂层(X1)、基材层(Y)及粘合剂层(X2),其中,所述粘合剂层(X1)及所述基材层(Y)中的至少任一层是含有热膨胀性粒子的热膨胀性层,所述粘合剂层(X2)是能量射线固化性粘合剂层,全光线透过率测定用层叠体(LA)在厚度方向上于波长380nm的全光线透过率(TA)为20%以上,所述全光线透过率测定用层叠体(LA)是对下述层叠体在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)+22℃的温度下加热1分钟而成的,所述层叠体是在所述双面粘合片的粘合剂层(X2)层叠由钠钙玻璃制成的厚度1.1mm的玻璃板而成的。

    粘合片及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113613893A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202080020753.2

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明的课题在于提供粘合片及使用该粘合片的半导体装置的制造方法,所述粘合片能够通过加热将临时固定着的被粘附物容易地剥离、而且能够抑制剥离后的被粘附物表面的污染,为此,本发明形成了下述粘合片:具有依次配置有粘合剂层(X1)、包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1)、及非热膨胀性基材层(Y2)的层叠结构,上述粘合剂层(X1)在23℃下的杨氏模量为5.0MPa以下,上述非热膨胀性基材层(Y2)在23℃下的杨氏模量高于上述粘合剂层(X1)在23℃下的杨氏模量。

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