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公开(公告)号：CN110148566B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910477626.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/04
Abstract: 本申请提供了一种堆叠结构的智能功率模块，包括引线框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、连接桥和包封体。第一芯片设置在引线框架上，其包括导电层、设置在导电层下方的非功能层、以及容置在非功能层下部的功能层，其中，非功能层设有导电孔，导电孔用于将导电层和功能层电性连接，并且导电孔用于将导电层与引线框架电性连接；第二芯片和第三芯片均设置在第一芯片的上方，且第二芯片和第三芯片均与第一芯片的导电层电性连接；连接桥与第二芯片和第三芯片以及导电层电性连接；包封体用于封装第一芯片、第二芯片、第三芯片和连接桥以及部分引线框架。本申请降低了智能功率模块的占板面积。
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公开(公告)号：CN117003565B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN118676080A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410811208.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括器件本体、塑封体以及散热柱，其中，所述塑封体对所述器件本体形成包裹，所述塑封体靠近所述器件本体的背面的端面上开设有导热孔。所述散热柱内嵌于所述导热孔内，且与所述导热孔螺纹固定。由此，可以在对所述器件本体进行封装时，增加所述塑封体的厚度，避免注塑不良。在此基础上通过导热性能优于所述塑封体的散热柱进行辅助散热，并提高了绝缘栅双极型晶体管的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN117003565A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN115954375A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211676804.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151521B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN115870166A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211679768.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种导热硅脂涂抹工具及应用该工具的IGBT模块安装方法，涉及半导体器件技术领域。其中，一种导热硅脂涂抹工具，包括底座，所述底座一侧设有至少一根用于容纳导热硅脂的硅脂导管，所述硅脂导管远离底座的一端开口，且所述硅脂导管对应IGBT模块上需要涂抹导热硅脂的位置。以及一种IGBT模块安装方法，应用上述导热硅脂涂抹工具。基于本发明的技术方案，将导热硅脂涂抹在IGBT模块实际需要的位置，方便控制导热硅脂的用量，保证IGBT模块与散热器之间直接连接区域最大化，有效降低热阻，提高散热器对IGBT模块的散热效果，并延长IGBT模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112151521A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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