公开(公告)号：CN112992821A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911285690.9

申请日：2019-12-13

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵家宽 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法，包括壳体以及伸入所述壳体内部的管脚，所述壳体内部一侧固定设置有芯片，所述壳体内部与所述芯片相对的另一侧固定连接有弹性件；所述弹性件将所述管脚压在所述芯片上以使所述芯片固定在所述壳体内部。采用了弹簧式封装方式，使管脚与芯片在弹性件作用下相贴合，芯片不再与管脚采用金属结合方式，因此芯片可通过使弹性件与管脚的分离而拆卸并重新取出，以重新进行晶圆级测试和再次封装。并且封装过程中不采用塑封料填充，而使壳体内部处于真空环境，使得芯片能够更容易地从壳体中取出，并且能够使壳体的内部结构不易受到腐蚀，使用寿命更长。

公开(公告)号：CN212033027U

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202020302696.4

申请日：2020-03-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵家宽 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利