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公开(公告)号：CN111489888A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010076504.7
申请日：2020-01-23
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 野泽宣介
Abstract: 提供降低RH使用量且具有高Br、HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备RL1－RH－M1系合金的工序、准备RL2－M2系合金的工序、第一扩散工序和第二扩散工序，第一扩散工序中RL1－RH－M1系合金的附着量为4mass％以上15mass％以下，第二扩散工序中RL2－M2系合金的附着量为1mass％以上15mass％以下，R－T－B系烧结磁体原材料中，R的含量为27mass％以上35mass％以下，[T]/[B]的摩尔比超过14.0且为15.0以下，RL1－RH－M1合金中，RL1含量为60mass％以上97mass％以下，RH含量为1mass％以上8mass％以下，M1含量为2mass％以上39mass％以下，RL2－M2系合金中，RL2含量为60mass％以上97mass％以下，M2含量为3mass％以上40mass％以下。
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公开(公告)号：CN110024064B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201780074435.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C21D9/00 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
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公开(公告)号：CN106024235A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610117968.1
申请日：2016-03-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(10)，uRwBaCxGazAlvCoqTigFejM(1)29.0≤u≤34.0(2)、0.80≤w≤0.92(3)、0.10≤a≤0.20(4)、0.3≤x≤0.8(5)、0.05≤z≤0.5(6)、0≤v≤3.0(7)、0.15≤q≤0.29(8)、58.29≤g≤69.60(9)、0≤j≤2.0(10)，在将g除以Fe的原子量而得的值设为g’、将v除以Co的原子量而得的值设为v’、将z除以Al的原子量而得的值设为z’、将w除以B的原子量而得的值设为w’、将a除以C的原子量而得的值设为a’、将q除以Ti的原子量而得的值设为q’时，满足下述式(A)及(B)。－0.02≤(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－2×q’))(A)，0.02≥(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－q’))(B)。
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公开(公告)号：CN113451029A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110306791.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供一种降低了重稀土RH的使用量、并且具有高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。解决技术问题的手段在于提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：制作粒径D50为2.0μm～3.5μm的微粉末的烧结体，准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备RL－RH－M系合金的工序；和在上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分附着上述RL－RH－M系合金的至少一部分，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述扩散工序中上述RL－RH－M系合金在上述R－T－B系烧结磁体原材料上的附着量为1mass％以上2.5mass％以下。
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公开(公告)号：CN111052276A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880053770.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107251175B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201680010497.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN105960690B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201580007076.X
申请日：2015-02-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM(1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd，M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示质量％)；29.0≤u≤32.0(2)(其中，重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量％以下)；0.93≤w≤1.00(3)0.3≤x≤0.8(4)；0.05≤z≤0.5(5)；0≤v≤3.0(6)；0.15≤q≤0.28(7)；60.42≤g≤69.57(8)；0≤j≤2.0(9)；并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’，v除以Co的原子量所得的值设为v’，z除以Al的原子量所得的值设为z’，w除以B的原子量所得的值设为w’，q除以Ti的原子量所得的值设为q’时，满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A)0.10≥(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑q’))(B)。
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公开(公告)号：CN107710351A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036852.3
申请日：2016-06-17
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]-72.3([B]-0.45[Ti])＞0 (1)，([T]-72.3([B]-0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu] (3)。
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公开(公告)号：CN107251176A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010761.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0253 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN105960690A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580007076.X
申请日：2015-02-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F9/04 , B22F2003/248 , B22F2009/044 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/28 , C22C38/30 , C22C38/32 , H01F41/0293 , B22F2207/01
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM (1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd，M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示质量％)；29.0≤u≤32.0 (2)(其中，重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量％以下)；0.93≤w≤1.00 (3)0.3≤x≤0.8 (4)；0.05≤z≤0.5 (5)；0≤v≤3.0 (6)；0.15≤q≤0.28 (7)；60.42≤g≤69.57 (8)；0≤j≤2.0 (9)；并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’，v除以Co的原子量所得的值设为v’，z除以Al的原子量所得的值设为z’，w除以B的原子量所得的值设为w’，q除以Ti的原子量所得的值设为q’时，满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A) 0.10≥(g’+v’+z’)-(14×(w’-q’))(B)。
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