公开(公告)号：CN115116724A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210157064.7

申请日：2022-02-21

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 江口彻 ,  国吉太

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其在使R－M系合金粉末存在于R－T－B系烧结磁体表面并扩散的方法中能够抑制磁特性下降并且抑制金属聚集的发生。本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备R－M－Zr系合金的工序和使上述R－M－Zr系合金附着于上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分并在真空或不活泼性气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述R－M－Zr系合金中的R的含量为70mass％以上95mass％以下，M的含量为4.5mass％以上25mass％以下，Zr的含量为0.5mass％以上5mass％以下。

公开(公告)号：CN113451029A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110306791.0

申请日：2021-03-23

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 江口彻 ,  野泽宣介 ,  国吉太

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供一种降低了重稀土RH的使用量、并且具有高HcJ的R－T－B系烧结磁体的制造方法。解决技术问题的手段在于提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：制作粒径D50为2.0μm～3.5μm的微粉末的烧结体，准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备RL－RH－M系合金的工序；和在上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分附着上述RL－RH－M系合金的至少一部分，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述扩散工序中上述RL－RH－M系合金在上述R－T－B系烧结磁体原材料上的附着量为1mass％以上2.5mass％以下。