公开(公告)号：CN112437892A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980048208.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 阿加特·普什卡 ,  威尔弗里德·施瓦兹 ,  廷达拉·韦尔杜奇 ,  本杰明·布蒂农

IPC: G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G06K9/00 ,  H01L27/146

Abstract: 本描述涉及一种制造光学系统(20)的方法，该光学系统包括角度滤光器(22)，该角度滤光器包括第一和第二初级角度滤光器的堆叠。此方法包括通过第一初级角度滤光器暴露正性光敏树脂层(40)，以及去除所述层的暴露部分(46)以形成穿过所述层的孔(42)，被所述孔穿过的所述层形成第二初级角度滤光器。

公开(公告)号：CN117043769A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280021106.2

申请日：2022-03-15

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 珍-伊夫·戈麦斯 ,  杰罗姆·乔梅尔 ,  杰罗姆·米沙隆 ,  本杰明·布蒂农 ,  卡米尔·杜波伦

IPC: G06F21/31

Abstract: 本公开涉及一种适于利用访问控制来运行至少一个应用(APP1，APP2，APPn)的电子设备(100)，其中，通过访问控制所述实施的认证手段的数量可以根据被分配给该应用的安全级别来配置。

公开(公告)号：CN112437891B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201980048205.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 威尔弗里德·施瓦兹 ,  昆廷·沙布尔 ,  阿加特·普什卡 ,  本杰明·布蒂农

IPC: G02B1/14 ,  G02B27/30 ,  G02B3/00 ,  G02B5/00 ,  G02B5/20 ,  G06V40/13 ,  H01L27/146

Abstract: 本描述涉及一种制造光学系统(5)的过程，该光学系统包括层(24)，该层包含通孔或盲孔(26)并被微米级光学元件矩阵阵列(14)覆盖。该光学系统包括旨在接收第一发射的表面(22)。此过程包括通过微米大小的光学元件矩阵阵列(14)使具有与该层相同的材料或不同的材料的膜(24)暴露于第二发射，所述材料对第二发射光敏感或能够使用第二发射加工，此方法还包括去除膜的暴露于或未暴露于第二发射的部分以界定全部或部分地穿过所述层的孔(26)。

公开(公告)号：CN110603579B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201880030050.0

申请日：2018-03-06

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 威尔弗里德·施瓦兹 ,  阿加特·普什卡 ,  昆廷·沙布尔 ,  本杰明·布蒂农

IPC: G06V40/13 ,  G09F9/33 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明涉及一种图像采集系统(10)，包括：辐射(44)的源(22)；图像传感器(14)，所述图像传感器包括适于检测所述辐射的光电检测器的阵列并具有一个面(15)；和角度滤光器(16)，其覆盖所述传感器，并且适于阻挡相对于与所述面正交的方向的入射角大于阈值的所述辐射的射线，并且适于接收相对于与所述面正交的方向的入射角小于所述阈值的所述辐射的至少某些射线。

公开(公告)号：CN114258590A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202080058136.1

申请日：2020-07-16

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 卡米尔·杜波伦 ,  本杰明·布蒂农

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 本公开涉及一种像素(50、52、54、56)，该像素包括CMOS支撑件(8)以及至少两个有机光电探测器(50A、50B、50C、50D、52A、52B、52C、52D、54A、54B、54C、54D、56A、56B、56C、56D)，其中同一透镜(58)与所述有机光电探测器竖直地成一直线。

公开(公告)号：CN114051518A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202080046651.8

申请日：2020-06-22

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 亚历克斯·勒乐 ,  艾米琳·莎偌可 ,  本杰明·布蒂农

IPC: C09D11/033 ,  C09D11/03 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本说明书涉及一种制剂，其包括p型有机半导体聚合物、n型半导体材料和非水溶剂，其中所述p型有机半导体材料的浓度在每毫升溶剂4mg/mL至25mg/mL的范围内，并且所述n型有机半导体材料与n型有机半导体材料之间的重量比例为1:1至1:2。

公开(公告)号：CN113767474A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202080032778.4

申请日：2020-02-21

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 卡米尔·杜波伦 ,  本杰明·布蒂农

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/33

Abstract: 本发明涉及一种彩色和红外图像传感器(1)，包括硅衬底(12)、在衬底中形成的MOS晶体管(16)、覆盖衬底并包括第一光敏层(26)、电绝缘层(32)、第二光敏层(38)和彩色滤光片(46)的堆叠。图像传感器还包括位于第一光敏层的任一侧并界定第一光电二极管(2)的电极(22、28)，以及位于第二光敏层的任一侧并界定第二光电二极管(4)的电极(34、40)。第一光敏层(26)吸收可见光谱和红外光谱的一部分的电磁波，第二光敏层(38)吸收可见光谱的电磁波并允许红外光谱的一部分的电磁波通过。

公开(公告)号：CN112437891A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980048205.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 威尔弗里德·施瓦兹 ,  昆廷·沙布尔 ,  阿加特·普什卡 ,  本杰明·布蒂农

IPC: G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G06K9/00 ,  H01L27/146

Abstract: 本描述涉及一种制造光学系统(5)的过程，该光学系统包括层(24)，该层包含通孔或盲孔(26)并被微米级光学元件矩阵阵列(14)覆盖。该光学系统包括旨在接收第一发射的表面(22)。此过程包括通过微米大小的光学元件矩阵阵列(14)使具有与该层相同的材料或不同的材料的膜(24)暴露于第二发射，所述材料对第二发射光敏感或能够使用第二发射加工，此方法还包括去除膜的暴露于或未暴露于第二发射的部分以界定全部或部分地穿过所述层的孔(26)。

公开(公告)号：CN112262485A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980037764.9

申请日：2019-06-03

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 本杰明·布蒂农 ,  皮埃尔·米勒 ,  大卫·吉耶马尔

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/30 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种光电子器件，其包括衬底、覆盖衬底的光电子组件的阵列(70)、耦合到光电子组件的第一导电迹线、覆盖阵列的一部分的粘合层，以及与粘合层接触的涂层(44)，该涂层包括外围，该器件还包括第二迹线(72)，该第二迹线反射335nm至10.6μm范围内的波长的辐射，并且以与外围对齐的方式沿着给定方向在第一导电迹线与涂层之间延伸。

公开(公告)号：CN116685881A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180084152.2

申请日：2021-11-22

Applicant: 爱色乐居

Inventor： 本杰明·布蒂农 ,  戴尔芬·德克卢 ,  威尔弗里德·施瓦兹

IPC: G02B5/20

Abstract: 本描述涉及一种用于图像采集设备(19)的角度滤波器(23)，包括堆叠件，该堆叠件包括：层(41)，包括具有不同折射率并且对所述辐射透明的介质，该层(41)仅允许具有入射角小于第一最大入射角的所述辐射的那些射线通过；以及开口(33)的矩阵(31)和微透镜(29)的矩阵(27)，该开口(33)由对可见和/或红外辐射不透明的壁(35)界定，由开口的矩阵和微透镜的矩阵形成的组件仅允许具有入射角小于第二最大入射角的所述辐射的射线通过，该第二最大入射角比第一最大入射角更小。