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公开(公告)号：CN107253696B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710434582.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
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公开(公告)号：CN106298827B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610866664.5
申请日：2016-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了种非制冷红外焦平面探测器像元及其制备方法,属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上,依次包括三层结构,第层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第支撑层、第支撑层保护层、第金属电极层和第氮化硅介质层;第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、热敏层、热敏层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层;第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制备方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元,能显著提高红外辐射的吸收率,提升探测器的响应率,为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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公开(公告)号：CN106082106A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610422054.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/00349 , B81C2201/0174 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法，包含读出电路的半导体衬底和一具有第一微桥支撑结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，所述第一微桥结构上设有第二微桥结构，所述第二微桥结构上设有第三微桥结构；使用该方法，可以拓宽红外探测器的检测波段，从而扩展红外探测器的应用领域。不仅工艺简单，成本低，而且不会增加读出电路的设计难度。
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公开(公告)号：CN107128872B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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公开(公告)号：CN107253696A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710434582.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0032 , B81B2201/0207 , B81C1/00341 , B81C1/00349 , B81C2201/0181
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107150995A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710328762.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种偏振敏感型非制冷红外探测器，包括第一层悬空结构，所述第一层悬空结构为现有非制冷红外探测器，所述第一层悬空结构上设有第二层悬空结构，所述第二层悬空结构包括光栅支撑层和设置在支所述光栅撑层上的金属光栅结构，能够简化光学系统，提升图像的真实性与有效性；还涉及上述偏振敏感型非制冷红外探测器的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在未进行结构释放的现有非制冷红外探测器上制备第二层牺牲层和光栅支撑层；步骤2.制备金属光栅结构；步骤3.结构释放，形成偏振敏感型非制冷红外探测器。
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公开(公告)号：CN107055464A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710037813.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00476 , B81C1/00095 , B81C1/00103 , B81C1/00611 , G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法，包括在包含读出电路为基底的晶圆上制作金属反射层，在金属反射层上依次沉积绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、电极保护层、热敏层和钝化层，所述牺牲层使用非晶碳薄膜，对所述牺牲层进行图形化处理，形成锚点孔，并利用化学机械抛光工艺对非晶碳牺牲层表面进行平坦化处理，结构更平整，在锚点孔底部除去撑层和绝缘介质层，露出下面的金属块，形成通孔，利用坞插塞工艺在通孔和锚点孔内沉积金属钨，电学连接更稳定，利用等离子灰化或等离子体刻蚀，去除牺牲层，结构释放更彻底。
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公开(公告)号：CN106802339A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710037812.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01N33/00
CPC classification number: G01N33/0032
Abstract: 本发明涉及一种阵列型MEMS气体传感器，包括包含读出电路的基底和设置基底上至少两个不同的呈矩阵排列的MEMS气体传感器，所述MEMS气体传感器表面涂覆渗透选择性薄膜，所述渗透选择性薄膜为二氧化硅薄膜或疏水性聚合物薄膜，不仅能够同时检测多种气体，而且能够保证气体传感器系统的稳定工作。
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公开(公告)号：CN106276781A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610803895.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构，该方法包括：制备金属反射层；在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；在金属反射层上制备通孔；在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层，或，在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层；在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
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公开(公告)号：CN106124066A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610410719.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种高填充因子的微测辐射热计及制备方法，在微测热辐射计的读出电路(1)上制作金属反射层(2)、绝缘介质层(3)、牺牲层(4)、支撑层(5)、金属电极层(6)、热敏层(8)、钝化层(9)之后，结合化学机械抛光、钨柱塞或者物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积等技术制备高深宽比的电学连接结构，减小电学连接结构的面积，增大微测辐射热计的填充因子。基于微测辐射热计的红外或太赫兹探测器都是由大面阵的阵列微测辐射热计组成的，通过减小接触孔的面积，可以有效的提升填充因子，同时提升探测器的性能。使用该结构，可以在未来设计制作更小像元的微测辐射热计时成比例的缩小像元尺寸，而不会增加工艺的难度。
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