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公开(公告)号:CN102437226B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201110414526.0
申请日:2011-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , B82Y10/00 , H01L31/03762 , H01L31/06 , H01L51/0048 , H01L51/4213 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管-硅薄膜叠层太阳能电池及其制备方法。该叠层电池太阳能电池,其包括依序层叠的:透明衬底、透明导电薄膜、硅薄膜层、碳纳米管薄膜和背电极,所述硅薄膜层由至少两层硅薄膜组成,所述硅薄膜层中的硅为非晶硅或微晶硅;所述硅薄膜层与所述碳纳米管薄膜构成异质结。所述硅薄膜可以为PN双层薄膜、PIN三层薄膜、NPN三层薄膜或者NPIN四层薄膜。在薄膜叠层电池中,碳纳米管作为P+层,与上述硅薄膜构成CNT/P+-P/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-P/I/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-N/P/N结构的叠层电池,或者CNT/P+-N/P/I/N结构的叠层电池。该碳纳米管-硅薄膜叠层电池可以有效提高电池的开路电压、转换效率等,并且具有工艺简单,成本低廉的特点。
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公开(公告)号:CN102368503B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201110315126.4
申请日:2011-10-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括下电极、设于所述下电极上的硅片、沉积于所述硅片上的环状的绝缘层、沉积于所述硅片上且位于所述环状的绝缘层的环腔内的碘化亚铜颗粒、铺设于所述绝缘层、硅片和碘化亚铜颗粒上的碳纳米管薄膜以及设于所述碳纳米管上的环形的上电极。本发明提供上述太阳能电池的制作方法,包括如下步骤:将上下表面设有下电极和环形绝缘层的硅片置于Cu(NO3)2与HF的混合水溶液中进行刻蚀得到表面有铜颗粒的硅片;将上述硅片置于碘的乙醇溶液中进行卤化反应得到表面有碘化亚铜颗粒的硅片;在上述硅片上铺设所述碳纳米管薄膜;然后在所述碳纳米管薄膜上沉积上电极即得所述太阳能电池。
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公开(公告)号:CN101694816B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910093736.7
申请日:2009-10-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/072 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种属于太阳能电池和纳米材料应用技术领域的异质结和光电化学混合太阳能电池结构。其特征在于,所述的透明电极层、半导体纳米线阵列和电解溶液层两两接触,透明电极层与半导体纳米线阵列形成异质结太阳能电池,透明电极层、半导体纳米线阵列和电解溶液层共同形成光电化学太阳能电池。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置,是由异质结太阳能电池和光化学电池混合而成,并同时具有两种电池的特征,光电转换效率高。
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公开(公告)号:CN101950764A
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN201010242462.6
申请日:2010-07-30
Applicant: 清华大学
Inventor: 贾怡 , 韦进全 , 白曦 , 曹安源 , 舒勤科 , 朱宏伟 , 王昆林 , 桂许春 , 李祯 , 李培旭 , 郭宁 , 庄大明 , 张弓 , 刘文今 , 骆建彬 , 王志诚 , 吴德海
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种带有酸溶液的碳纳米管-硅构成的太阳能电池,属于太阳能电池和纳米材料应用技术领域。所述太阳能电池从下至上依次包括下电极、硅片、绝缘层、碳纳米管薄膜层和透明封装层以及上电极,其绝缘层呈环状结构,设置在硅片上方,碳纳米管薄膜连续地覆盖在绝缘层和硅片上方,在环状绝缘层和硅片所构成的凹槽内填充有酸溶液。本发明所提供的太阳能电池在太阳能模拟器的标准光源(AM1.5,100mW/cm2)下测试,其转换效率可达到13.8%,较碳纳米管/硅异质结太阳能电池(7.4%)和碳纳米管/硅纳米线混合太阳能电池的转换效率(1.29%)有了大幅度的提高;而且制造工艺简单,成本较低。
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