一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN102368503B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110315126.4

    申请日:2011-10-17

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管-硅异质结太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括下电极、设于所述下电极上的硅片、沉积于所述硅片上的环状的绝缘层、沉积于所述硅片上且位于所述环状的绝缘层的环腔内的碘化亚铜颗粒、铺设于所述绝缘层、硅片和碘化亚铜颗粒上的碳纳米管薄膜以及设于所述碳纳米管上的环形的上电极。本发明提供上述太阳能电池的制作方法,包括如下步骤:将上下表面设有下电极和环形绝缘层的硅片置于Cu(NO3)2与HF的混合水溶液中进行刻蚀得到表面有铜颗粒的硅片;将上述硅片置于碘的乙醇溶液中进行卤化反应得到表面有碘化亚铜颗粒的硅片;在上述硅片上铺设所述碳纳米管薄膜;然后在所述碳纳米管薄膜上沉积上电极即得所述太阳能电池。

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