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公开(公告)号：CN113933365A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111193297.4
申请日：2021-10-13
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/68
Abstract: 本申请提供了一种基于光催化的可再生场效应晶体管生物传感器及其制备方法。本申请的生物传感器从下到上依次包括衬底，粘连层，光催化剂、单层石墨烯；其中分散状态的光催化剂位于石墨烯与粘连层间；石墨烯两端设有金属电极并引出导线，两端金属电极之间有导电沟道。本申请的生物传感器中位于石墨烯下表面和高分子粘合剂间的光催化剂可以有效避免已有技术中传感灵敏度不够高、再生复现性能差的缺陷；并为器件表面的进一步修饰提供便利，以拓展该可再生传感器的多种检测用途。
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公开(公告)号：CN114264712B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111602670.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414 , C12Q1/6876 , C12Q1/6806 , C12Q1/6825
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯场效应晶体管(GFET)的miRNA检测方法及其应用,本发明将GFET表面利用共价键修饰上的DNA探针，可特异性识别待测miRNA，随后在DSN酶的作用下，将DNA探针水解并释放出miRNA，释放出的miRNA可参与到下一个循环，依次持续水解GFET表面上DNA，进而引起GFET电信号的变化，该信号强度的变化与miRNA的浓度相关。该发明首次将DSN与GFET结合，并充分利用了DSN在miRNA检测中的高特异性和信号放大功能，以及GFET在生物检测中的超敏和快速特点，可实现生物样品中miRNA的高特异性，快速、超敏的检测。
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公开(公告)号：CN114002301B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111282641.7
申请日：2021-11-01
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提出一种基于石墨烯FET场效应晶体管的传感器，其包括衬底层、石墨烯层、金属电极和识别探针分子，所述识别探针分子，包括：芘、苝或蒽描定基团、用于氨氮离子相连的活性酯。该微纳加工器件将有机生物探针和石墨烯相结合，对待测样品具有超灵敏度，可以用于快速准确的测定氨氮度。
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公开(公告)号：CN113933365B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202111193297.4
申请日：2021-10-13
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/68
Abstract: 本申请提供了一种基于光催化的可再生场效应晶体管生物传感器及其制备方法。本申请的生物传感器从下到上依次包括衬底，粘连层，光催化剂、单层石墨烯；其中分散状态的光催化剂位于石墨烯与粘连层间；石墨烯两端设有金属电极并引出导线，两端金属电极之间有导电沟道。本申请的生物传感器中位于石墨烯下表面和高分子粘合剂间的光催化剂可以有效避免已有技术中传感灵敏度不够高、再生复现性能差的缺陷；并为器件表面的进一步修饰提供便利，以拓展该可再生传感器的多种检测用途。
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公开(公告)号：CN114280128A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111600880.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414 , C12Q1/6825
Abstract: 本申请提供了一种双标记石墨烯场效应晶体管的制备方法及其在miRNA检测中的应用。本申请的双标记石墨烯场效应晶体管中对GFET的表面进行双链特异性核酸酶(DSN)和DNA探针的双标记修饰，将DSN酶固定在GFET表面，使DSN周围铺有DNA探针，同时每个DNA探针都在DSN的空间水解范围内。利用双标记的GFET快速测定miRNA的浓度时，向GFET的反应池中加入待测miRNA，其与DSN附近的DNA结合形成异源互补双链后，DSN可迅速水解DNA探针并释放miRNA，释放的miRNA可再次与其它DNA探针结合并引起DNA探针不断水解，进而引起电信号的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114150089A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111543506.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 清华大学
IPC: C12Q1/70 , C12Q1/6837
Abstract: 本发明公开了一种基于CRISPR‑Cas13a/Cas12a反式切割和石墨烯场效应晶体管的核酸检测方法，将Cas13a/Cas12a固定在石墨烯表面后或者在溶液中与靶向不同病毒核酸的crRNA结合，构建Cas13a/Cas12a‑crRNA复合物，用于快速切割修饰在gFET上的ssRNA/ssDNA，进而引发转移特性曲线的变化，实现对多种病毒核酸的响应。
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公开(公告)号：CN119125109A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411239805.1
申请日：2024-09-05
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种聚电解质多层膜修饰的表面增强拉曼散射基片，其对不同电性的抗生素进行筛选分析，用于增强信号检测。本发明的聚电解质多层膜修饰的表面增强拉曼散射基片，包括纳米棒沉积的表面增强拉曼散射基片和聚电解质逐层沉积的薄膜。其中，纳米棒基底为纯银结构，聚电解质薄膜为聚阳离子与聚阴离子逐层沉积得到，所述聚电解质沉积得到的薄膜为上述聚阳离子电解质与聚阴离子电解质交替逐层沉积而成，其中所述沉积得到的薄膜由至少一个聚阳离子层和聚阴离子层组成的双层结构。
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公开(公告)号：CN118860328A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411111200.4
申请日：2024-08-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及存算一体技术领域，尤其涉及一种面向存算一体架构的非均匀数值表示方法、装置及存储介质。所述方法包括：获取预训练模型的权重值，权重值以二进制编码形式存储在存算一体架构的非易失性存储器的交叉阵列中；确定权重值对应的第一调控因子，第一调控因子包括比特级的浮点型调控因子，第一调控因子用于指示权重值与权重值对应的二进制编码数值之间的非均匀映射关系；将第一调控因子进行整型对齐得到对应的第二调控因子和浮点数因子，第二调控因子包括比特级的整型调控因子。本公开实施例设计了适合存算一体架构的非均匀数值表示方式，在不引入额外硬件负担的同时，提高模拟域的存算一体架构对于神经网络模型的计算精度。
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公开(公告)号：CN116990372A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210440957.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 清华大学 , 歌尔微电子股份有限公司
IPC: G01N27/414 , G01N21/65
Abstract: 本公开提供了一种双通道的气体传感器，所述气体传感器包括：基片；金属纳米结构，形成于所述基片表面；二维材料层，形成于所述金属纳米结构上，作为导电沟道；以及电极，包括源电极和漏电极，分别形成于所述二维材料层的两端。本公开还提供了该气体传感器的制备方法及应用该气体传感器进行气体检测的方法。
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公开(公告)号：CN116990356A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210441098.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 清华大学 , 歌尔微电子股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种氧化物功能化的石墨烯气体传感器，包括基片、石墨烯层和电极，其中所述石墨烯层形成于所述基片表面，所述电极包括源电极和漏电极，分别形成于所述石墨烯层的两端，所述气体传感器还包括：氧化物材料层，形成于所述石墨烯上。本公开还提供了该气体传感器的制备方法及应用该气体传感器进行气体检测的方法。
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