公开(公告)号：CN110600065A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910756772.0

申请日：2019-08-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 李学清 ,  吴珏键 ,  唐文骏 ,  钟宏涛 ,  古明阳 ,  陶云松 ,  刘勇攀 ,  杨华中

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本发明提出一种具有对称特性的存储器单元及其构成的阵列结构，涉及存储器技术领域。所述存储器单元的电路结构包括两个晶体管、一个存储器器件、行位线、列位线、行字线和列字线，第一晶体管的栅极、漏极和源极分别与行字线、行位线和存储器器件一端相连，第二晶体管的栅极和漏极分别与列字线和行位线相连，第二晶体管的源极与存储器器件一端、第一晶体管的源极均相连，存储器器件另一端与列位线相连。所述阵列结构为多个所述存储器单元通过对应的字线与位线相连的方式组成的若干行和若干列。本发明通过电路结构的行、列对称性，能够实现逐行操作与逐列操作，并保证了操作的简便与对称性。

公开(公告)号：CN110428858A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910626167.1

申请日：2019-07-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 李学清 ,  钟宏涛 ,  杨华中

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种基于具有滞回特性器件的静态存储器的单元电路及阵列电路。单元电路包括：信息存储模块、写操作模块和读操作模块，其中，信息存储模块由具有滞回特性的器件组成，以利用滞回特性的状态存储信息，并包括写操作端和读操作端，且所存储的信息在没有外部能量输入的情况下，允许发生改变；写操作模块与写操作端连接，以对信息存储模块内存储的信息进行写操作，且在不改变存储的信息时，通过对写操作端的持续控制避免存储的信息发生改变；读操作模块与读操作端连接，以对信息存储模块内的状态存储信息进行读操作。该发明具有高集成度、高耐久度的优点，是一类可以实现在低电压下维持数据从而极大降低功耗、提高存储密度的存储器。