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公开(公告)号：CN1517346A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100552.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D333/16 , C07D333/20 , C07D409/04 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24088
Abstract: 本发明公开了一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料。一种用于多阶光存储的介质，可以是非晶态膜片，也可以是光盘。本发明首次利用二芳基乙烯类光子型记录材料作为多阶存储介质，并在非晶态膜片上成功实现了8阶光信息存储和在光盘上进行了4阶存储。其中R为如上一些基团。
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公开(公告)号：CN1470512A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN02125272.6
申请日：2002-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/08 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种不对称型二芳基乙烯类光致变色化合物及其制备方法与应用。本发明提供的不对称型二芳基乙烯化合物，具有式I或式II的分子结构式：其中，R1、R2、R3、R4分别为碳原子数是1－4的烷基、碳原子数是3－6的环烷基或芳基。一种制备上述化合物的方法，包括以下步骤：1)将等当量的全氟环戊烯和5－锂－2－取代基－4－甲基噻吩或苯并噻吩反应制备相应的单取代全氟环戊烯；2)将3－溴－5－取代基－2－甲基噻吩冷却至－76℃—－80℃，加入n－BuLi，低温反应0.5－1.5小时，然后加入步骤1)得到的等当量的单取代全氟环戊烯，反应1－3小时后，分离得产物。本发明的化合物可作为擦写光存储介质和分子开关得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN1436832A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02100500.1
申请日：2002-02-06
Applicant: 清华大学
IPC: C09K9/02
Abstract: 本发明的名称为二芳基乙烯类光致变色化合物及其制备方法和用途。本发明提供的二芳基乙烯类光致变色化合物是通式(I)的化合物。本发明生产式(I)化合物的方法，基本上包括以下步骤：1)将2－甲基噻吩溴化；2)与硼酸三丁酯反应，生成2－甲基－3－溴－5－硼酸基噻吩；3)通过偶联反应将苄基与噻吩环连接；4)与全氟环戊烯反应生成目标分子。本发明的化合物可广泛用于超高密度、可擦写光信息存储材料或用作光控开关的材料。
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公开(公告)号：CN1280284C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03100552.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D333/16 , C07D333/20 , C07D409/04 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24088
Abstract: 本发明公开了一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料。一种用于多阶光存储的介质，可以是非晶态膜片，也可以是光盘。本发明首次利用二芳基乙烯类光子型记录材料作为多阶存储介质，并在非晶态膜片上成功实现了8阶光信息存储和在光盘上进行了4阶存储。
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公开(公告)号：CN1205206C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02125272.6
申请日：2002-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/08 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种不对称型二芳基乙烯类光致变色化合物及其制备方法与应用。本发明提供的不对称型二芳基乙烯化合物，具有式I或式II的分子结构式：其中，R1、R3为C1-4烷基；R2为4-甲氧基苯基；R4为H。一种制备上述化合物的方法，包括以下步骤：1)将等当量的全氟环戊烯和5-锂-2-R2-4-甲基噻吩或2-锂-3-甲基苯并噻吩反应制备相应的单取代全氟环戊烯；所述反应是在0℃条件下进行2-3小时后升至室温，中止反应；2)将3-溴-5-R-2-甲基噻吩或3-碘-5-R-2-甲基噻吩在N2保护下，冷却至-76℃—-80℃，加入n-BuLi，低温反应0.5-1.5小时，然后加入步骤1)得到的等当量的单取代全氟环戊烯，反应1～3小时后，分离得产物；其中，R为C1-4烷基、R2为4-甲氧基苯基。本发明的化合物可作为擦写光存储介质和分子开关得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1439635A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN02100681.4
申请日：2002-02-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D277/28 , C07D333/20 , C09K9/02 , G11B7/24
Abstract: 本发明的名称为短波长二芳基乙烯类化合物及其制备方法与应用，涉及一类有机光致变色材料及其制造方法与应用，特别是涉及一类有机光致变色二芳基乙烯类化合物及其制造方法与应用。本发明所提供的是式(I)化合物。本发明可广泛用作光信息存储材料及光致变色分子器件。
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公开(公告)号：CN1329391C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03142676.X
申请日：2003-06-13
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/08 , C07D333/06 , C07D333/54 , C07D277/64 , C09K9/02 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了有机光致变色材料领域中一种有机光致变色二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的是通式(I)的二芳基乙烯光致变色化合物：本发明所合成的二芳基乙烯化合物的两种光致变色异构体具有良好的光热稳定性和抗疲劳性，光致变色反应迅速，灵敏度较高，在固态薄膜中具有良好的光致变色反应性；闭环态在400-500nm范围有较强的吸收，适合用于此波长范围光存储。用本发明所提供的二芳基乙烯光致变色化合物制成的三维存储材料，性能优良，稳定性和抗疲劳性好，实用性较强。
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公开(公告)号：CN1223592C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02100682.2
申请日：2002-02-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/08 , C09K9/02
Abstract: 本发明的为联吡啶类二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用，涉及有机光致变色材料及其制造方法与应用，特别是涉及一类有机光致变色二芳基乙烯类化合物及其制造方法与应用。本发明提供的是由式(I)结构单元构成的，分子量为732.8-7328的化合物：其中，R为双联吡啶；n为1-10的整数。本发明的化合物可广泛用作光信息存储材料，作为光致变色分子器件，还可以在制备光致变色发光器件中得到应用。
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公开(公告)号：CN1517345A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100551.9
申请日：2003-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07D333/06 , C07D409/04 , G11B7/24
Abstract: 本发明公开了一种全息光存储膜片及其制备方法与专用生产原料。本发明提供的专用生产原料为通式(I)化合物：其中，R1为H原子或甲基，R为C原子数小于10的烷基、醇和杂环烷基。本发明提供的全息光存储膜片，由玻璃基片及涂敷在所述基片上的光存储材料组成，所述光存储材料为通式(I)化合物和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的混合物。本发明的膜片具有较高分辨率、感光灵敏度和衍射效率，并且可以重复使用，是理想的全息光记录介质。
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公开(公告)号：CN1439639A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN02100682.2
申请日：2002-02-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/08 , C09K9/02
Abstract: 本发明的名称为联吡啶类二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用，涉及有机光致变色材料及其制造方法与应用，特别是涉及一类有机光致变色二芳基乙烯类化合物及其制造方法与应用。本发明提供的是由式(I)结构单元构成的，分子量为732.8－7328的化合物：其中，R为2－5的寡聚吡啶类化合物；n为1－10的整数。本发明的化合物可广泛用作光信息存储材料，作为光致变色分子器件，还可以在制备光致变色发光器件中得到应用。
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