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公开(公告)号：CN114136915B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202111308190.X
申请日：2021-11-05
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3586 , G01N21/21 , G01N21/01
Abstract: 本发明提供一种产生任意偏振角度宽带太赫兹波的系统及方法，包括信号产生装置和偏振转换装置，信号产生装置用于产生泵浦光，信号产生装置包括聚焦透镜，聚焦透镜设在泵浦光的光路上，使泵浦光聚焦于空气中激发空气形成空气等离子体；偏振转换装置包括生成第一电场的第一电场生成装置、生成第二电场的第二电场生成装置、电场调节装置，第一电场和第二电场交叉形成合成电场，空气等离子体经过合成电场形成太赫兹波。通过调节两个相交叉电场的强度，使位于合成电场内的空气等离子体产生任意偏振角度的太赫兹波，通过调节电场的强度能够精确控制太赫兹波的强度，不会对太赫兹波的强度造成损耗，从而提高了太赫兹波探测器的探测效果。
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公开(公告)号：CN118136553A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410122337.3
申请日：2024-01-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及纳米结构制备领域，提供一种适于平面基底的阳极氧化铝模板贴合装置及方法，阳极氧化铝模板贴合装置包括：凹模，凹模上设有第一盲孔，第一盲孔的孔口适于通过阳极氧化铝模板覆盖，第一盲孔的孔底设有用于容纳基底并为基底定位的第二盲孔，第二盲孔的深度小于基底的厚度；管体，管体用于伸入第一盲孔并与第一盲孔滑动配合，并且管体设置为能够套在基底的外侧。采用管体与第一盲孔配合产生的剪切作用完成对阳极氧化铝模板的切割，能够通过第一盲孔和管体二者的尺寸精度和配合精度，保证阳极氧化铝模板的尺寸精度和形状精度，受人工熟练度影响较小，从而能够提高阳极氧化铝模板与基底的适配性。
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公开(公告)号：CN113281916B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110506340.1
申请日：2021-05-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种连续调节物体红外发射率的方法和基于此的红外功能表面，所述连续调节物体红外发射率的方法包括在物体表面设置调控材料层，所述调控材料层在垂直于所述物体表面方向设有多个贯穿孔，通过调节所述物体从所述贯穿孔中暴露出的面积大小，实现红外发射率的连续调节。本发明通过在物体表面设置发射率与物体不同的调控材料层，然后调节调控材料层在其与物体形成的整体表面所占面积比例，实现了在3～5μm和8～14μm波段红外发射率0.1～0.9的连续可调。该方法相较于传统的在物体表面制作不同发射率的涂层，工艺简单、成本低、重复性好且可以大面积应用，对建筑外墙保温、节能减排等应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115555708A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211275611.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 清华大学
IPC: B23K26/06 , B23K26/046
Abstract: 本发明提供一种反射式贝塞尔激光微纳加工装置及方法，涉及激光微纳加工技术领域。反射式贝塞尔激光微纳加工装置包括光源组件、反射式贝塞尔组件、光束聚焦组件和控制组件，光源组件适于发射激光光束，反射式贝塞尔组件适于将激光光束整形为贝塞尔光束，并改变贝塞尔光束的传播方向以形成反射式贝塞尔光束，光束聚焦组件适于汇聚反射式贝塞尔光束，控制组件适于控制反射式贝塞尔光束的聚焦点与工件之间的相对位置。应用本发明提供的反射式贝塞尔激光微纳加工装置及方法，可以实现对工件的高精度加工，提高成品率。
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公开(公告)号：CN118638341A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410862771.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种高刚性、高韧性且抗撕裂的离子导电弹性体及其制备方法和应用，属于柔性离子导电聚合物材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)将镓铟合金液态金属预先分散于聚乙烯醇的良溶剂中，并进行超声破碎，得到LM分散液；(2)将聚乙烯醇在加热条件下溶解于所述LM分散液中，得到PVA/LM溶液；(3)将所述PVA/LM溶液进行冷冻，得到PVA/LM溶液冷冻物；(4)将所述PVA/LM溶液冷冻物置于可聚合共晶溶剂中并在低温环境中进行溶剂置换，得到溶剂置换产物；(5)将所述溶剂置换产物置于室温环境中，得到离子导电弹性体。所述制备方法得到的离子导电弹性体具有高刚性、高韧性和优异的抗撕裂性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118136477A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410122342.4
申请日：2024-01-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及电子器件领域，提供一种碳化硅场致发射阵列制备方法及真空管。碳化硅场致发射阵列制备方法包括：置备碳化硅基底、掩膜材料和纳米模板；将纳米模板设置于碳化硅基底待形成发射单柱的表面，纳米模板设有用于定义发射单柱的尺寸和位置的图案；在碳化硅基底设有纳米模板的表面镀设掩膜材料，以形成掩膜；去除纳米模板；利用刻蚀设备对碳化硅基底进行反应离子刻蚀，形成场致发射阵列。通过反应离子刻蚀的方式能够在碳化硅基底上形成发射单柱，从而形成碳化硅场致发射阵列，进而在一定程度上解决或者改善了碳化硅难以加工成碳化硅场致发射阵列的问题，形成了耐高温、耐腐蚀和抗辐射的碳化硅场致发射阵列。
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公开(公告)号：CN117506177A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311490152.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及飞秒激光加工领域，提供一种涡旋激光加工矢量光场粒子梯度力场受控引出装置及方法。涡旋激光加工矢量光场粒子梯度力场受控引出装置包括激光输出端，用于输出涡旋飞秒激光；低压调控模块，设置于激光输出端的下游，低压调控模块包括低压阴极端；高压引出模块，设置于低压调控模块的下游，高压引出模块包括隔离壁，隔离壁围设于待加工件的周围。该涡旋激光加工矢量光场粒子梯度力场受控引出装置能够产生空间电场，通过隔离壁收集涡旋飞秒激光对待加工件加工时产生的粒子，进而减少了加工过程中工件表面颗粒飞溅、重新附着的问题；还能够防止粒子沉积在激光器输出端，避免粒子对激光器输出激光产生影响。
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公开(公告)号：CN113371701B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110638966.8
申请日：2021-06-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种石墨烯及其绿色制备方法。所述绿色制备方法包括：将研磨体、辅助磨介与石墨进行干磨，得到粉末，然后将所述粉末进行洗涤、干燥，得到石墨烯；所述辅助磨介为有机小分子，所述辅助磨介的分子量为100～5000；所述研磨体为直径1～20mm的球体。本发明提供的石墨烯制备方法具有高的产率以及剥离效率等特点，同时制备得到的石墨烯具有比横向尺寸均一、厚度层数少等优点，适用于推广于大规模化制备少层石墨烯。
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公开(公告)号：CN115184297A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210892578.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及光谱探测技术领域，提供一种基于太赫兹波的探测装置，该探测装置包括：信号产生单元、待检单元、信号增强单元和信号探测单元，其中，信号产生单元用于向待检单元和信号增强单元发射第一太赫兹波；待检单元中用于设置待检物质；信号增强单元包括正电极和负电极，正电极和负电极之间形成偏置电场，偏置电场能够增强第一太赫兹波；信号探测单元用于探测第一太赫兹波穿过待检单元且穿过偏置电场后形成的第二太赫兹波。通过在信号增强单元中设置正电极和负电极，形成偏置电场，该偏置电场可以增强太赫兹波，通过信号探测单元的探测，得到待检物质的特征。在上述探测装置中，通过偏置电场增强太赫兹波，成本低廉，而且无损伤阈值。
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公开(公告)号：CN113214699B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110476802.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种太赫兹隐身涂料及其制备方法和应用，制备本发明所述太赫兹隐身涂料的原料中包括低维硼材料。本发明的制备方法操作简便，装置简洁，后处理简单，生产成本低，易于批量生产，具有大规模制备的潜力和广阔的商业应用前景，在国防军事、医疗、通讯、检测等太赫兹技术相关领域具有十分诱人的潜在应用价值。
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